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中 시안 2기 착공에 들어간 삼성전자…낸드플래시 ‘초격차’ 유지

디지털데일리 발행일 2018-03-28 11:15:40
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이수환

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[디지털데일리 이수환기자] 삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다고 28일 밝혔다.

이와 관련해 중국 산시성 시안시에서 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을 실시했다.

지난 2017년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억달러(약 7조4900억원)를 투자하기로 했다. 이로써 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시가 필ㅇ한 글로벌 IT 시장의 요구에 적극적으로 대응하겠다는 계획이다.

삼성전자 김기남 사장은 기념사를 통해 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속해서 이바지하겠다”라고 말했다.

특히 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT 업체의 생산기지가 집중된 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국시장 요구에 더욱 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 더불어 이번 추가 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역 경제 활성화 및 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다.

한편 삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V낸드 양산 및 2015년 후공정 라인 완공, 2818년 2기 증설까지 꾸준한 투자가 이뤄지고 있다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr

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