[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 중국 시안 메모리 반도체 공장을 본격 가동한다.

9일 삼성전자는 중국 산시성 시안시에서 자오쪙융 성위서기, 러우친첸 성장, 먀오웨이 공신부 부장, 쉬셴핑 국가발개위 부주임, 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사와 권오현 부회장 등 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 준공식을 가졌다. 회사 측은 이날 “본격적인 제품 생산에 돌입했다”라고 밝혔다.

중국 시안 삼성전자 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 거쳐 완공됐다.

단지는 총 114만496㎡(약 34만5000평)의 부지에 연면적 23만1405㎡(약 7만평) 규모로 건설됐으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 3D 낸드플래시(V-낸드) 메모리를 양산한다. 삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’를 구축했다고 의미를 부여했다. 아울러 3D 낸드플래시의 듀얼 생산체제를 구축, 생산 규모를 확대하고 고객에게 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 됐다고 덧붙였다.

삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장동력을 마련했다는 평가다. 삼성전자의 3D 낸드플래시는 국내 업체들이 충분한 경쟁력을 갖춘 증착 공정 비중이 높다. 현지에 진출한 국내 협력사들은 60여개사로 향후 100개사까지 확대될 전망이다.

권오현 부회장은 기념사를 통해 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했다.

삼성전자는 올해 말 시안에 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성한다는 계획이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr