[디지털데일리 김문기 기자] “업계 최초의 300mm GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 웨이퍼는 에너지 효율성 혁신의 분수령이자, 기후 위기 시대의 기술적 돌파구다.”

안드레아스 우르시츠 인피니언 최고마케팅책임자(CMO)는 22일 서울 삼성동 코엑스에서 간담회를 개최한 자리에서 인피니언이 개발한 GaN은 기존 실리콘 대비 훨씬 높은 전력 효율성과 소형화를 동시에 충족한다며 이같이 강조했다. 이번 간담회는 같은 장소에서 개최된 ‘옥토버테크 서울 2025’의 일환으로 성사됐다. 특히 옥토버테크는 서울에서 첫 개최된 사례다.

우르시츠 CMO는 GaN을 기존 300mm 실리콘 팹에서 생산할 수 있다는 것 자체가 게임 체인저라는 점을 강조했다. 기존 시설을 활용함으로써 비용효율성을 극대화할 수 있고, 산업계는 더 작고, 가볍고, 효율적인 전력 반도체를 더 빠르게 확보할 수 있다는 설명이다.

300mm GaN 웨이퍼는 200mm 대비 약 2.3배 이상의 칩을 생산할 수 있어 생산성과 확장성에서 독보적인 우위를 가진다. 인피니언은 오스트리아 필라흐의 자사 팹에서 이를 이미 양산 단계로 끌어올렸다. 특히 GaN 기술은 데이터센터, EV 충전 인프라, 로봇, 드론, 산업용 모터제어, 스마트빌딩 등에서 빠르게 채택되고 있으며, 한국 주요 고객사의 까다로운 요구 사항을 맞추는 데 최적화돼 있다고 강조했다.

그는 "단순히 더 작고 빠르다는 차원이 아니다. 오는 2030년까지 저전력 제품군의 상당 부분이 GaN 기반으로 전환될 것이며, 2027~2028년에는 300mm GaN 웨이퍼 기반 제품의 적절한 원가 구조도 완성될 것으로 보고 있다. 2030년까지 관련 시장은 적게는 30억에서 많게는 80억달러 수준으로 성장할 전망이다”라고 밝혔다.

이어, “현재 GaN 생산의 약 80%는 인피니언 자체 팹에서 이뤄지고 있으며, 나머지 20%는 외부 파트너를 활용하고 있으나, 향후 100% 인하우스화를 목표로 하고 있다”라며, “GaN은 인피니언이 차세대 에너지 시장에서 기술적 차별화를 꾀할 수 있는 '핵심 역량'이기 때문”이라고 덧붙였다.

인피니언은 말레이시아 쿨림 지역에 비용효율성이 극대화된 300mm SiC 및 GaN 팹을 건설 중이다.

이승수 인피니언 코리아 대표는 "쿨림은 인건비뿐 아니라 품질·속도·규모 면에서 글로벌 고객사 니즈를 만족시킬 수 있는 최적지”라며, “단순히 제조 비용을 줄이기 위한 것이 아니라 글로벌 공급망 리스크에 대한 대안이다. 충분히 중국과의 경쟁에서도 이길 수 있다”고 강조했다.

인피니언은 전력 반도체뿐만 아니라 지난해 기준 전 세계 마이크로컨트롤러(MCU) 시장 점유율 21.3%로 1위를 기록했다. 지난해에는 자동차용 MCU 1위, 올해는 산업, IoT, 컴퓨팅까지 아우르는 종합 1위를 차지하고 있다. AURIX, TRAVEO, PSOC, XMC 등으로 구성된 MCU 포트폴리오는 IoT 엣지단에서 AI 처리, 스마트팩토리, 차량 제어 등 다양한 분야를 커버하고 있다.

이 대표는 "현대자동차와는 2007년부터 협력해왔으며, 지난해 인피니언은 글로벌 반도체 기업 중 최초로 '기술 파이브스타' 인증을 받았다”라며, “LG전자와는 SDV(Software Defined Vehicle) 플랫폼 공동개발을, 한화 NxMD와는 인피니언의 AIROC 무선통신 칩 기반 차량용 통신모듈 협력을 진행 중”이라고 소개했다.

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한편, 우르시츠 CMO는 "탈탄소화는 우리의 미래지만 그 여정은 혼자 이룰 수 없다”라며, “우리는 한국과 함께, 고객과 함께, 생태계와 함께 만들어가야 한다”고 강조했다.