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EUV 공정으로 D램 만든다…삼성전자, 초격차 계속

디지털데일리 발행일 2020-03-25 09:54:17
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김도현


[디지털데일리 김도현기자] 삼성전자가 초격차 전략을 이어간다. 반도체 위탁생산(파운드리)에서 활용하는 극자외선(EUV) 공정을 메모리에 적용했다. 삼성전자는 경기도 화성사업장에 EUV 라인을 두고 있다.

25일 삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 업계 최초로 EUV 공정 기반 D램 양산 체제를 갖췄다고 밝혔다. 이를 통해 1세대(1x) 10나노미터(nm)급 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 생산, 고객사 평가를 완료했다.

EUV는 파장 길이가 13.5나노다. 193나노인 불화아르곤(ArF) 대비 14배 짧다. 짧은 파장 덕분에 미세한 회로를 그리는 데 적합하다. 얇은 붓을 쓰면 섬세한 그림을 그릴 수 있는 것과 같은 원리다. 공정 미세화가 진행될수록 EUV 도입은 필수적이다.

아울러 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이고, 정확도를 높인다. 이는 성능 및 수율 향상으로 이어진다. 제품 개발 기간도 단축할 수 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대(1a) D램 양산 기술을 개발 중이다. EUV 기반 1a는 1x보다 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 높다.

삼성전자는 오는 2021년 성능과 용량을 높인 1a D램(DDR5/LPDDR5)을 양산한다. 내년부터 본격화하는 DDR5/LPDDR5 시장을 대비하는 차원이다. 5세대(1b), 6세대(1c) D램도 선행 개발, 기술 리더십을 강화할 방침이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 고객들에게 차별화된 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발할 것”이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 올해 하반기 평택 신규라인을 가동, 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 대응할 예정이다. 현재 평택 2공장은 클린룸을 구축하는 등 가동 준비에 박차를 가하고 있다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr

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