범용 D램 쫓는 中 때문에 '경고등'…삼성·SK 고부가 집중 전략 [소부장반차장]
[디지털데일리 고성현 기자] 범용 메모리반도체의 가격 하락세가 이어지면서 국내 메모리 제조사인 삼성전자, SK하이닉스의 수익성 저하가 우려되고 있다. 소비재 중심 수요가 부진한 가운데 중국 내 D램 생산능력이 확대되면서 시장 영향력이 줄어들 수 있다는 이유 때문이다. 양사는 수요가 커지는 인공지능(AI) 인프라 및 데이터센터향 비중을 높일 계획을 내놓으며 관련 시장 변동성에 대응하는 모습이다.
14일 업계에 따르면 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 등이 범용 D램 생산능력을 빠르게 확장하며 글로벌 공급망에 영향을 미치고 있다. 이와 관련 대만 시장조사업체 트렌드포스는 내년 전체 D램 비트 생산량이 전년 대비 25% 증가할 예정으로, 이중 4%포인트(p) 가량이 중국 업체에 따라 상승하는 것으로 봤다.
CXMT는 중국 D램 전문 업체로 2020년 월 4만장이던 생산능력을 최근 16만장까지 높였다. 주력 제품은 17~18나노미터(㎚)급 공정을 기반으로 한 DDR4·LPDDR4로 비교적 구세대에 속하지만, 자국 시장 내 공급량을 바탕으로 시장 점유율을 끌어올리고 있다. 최근에는 CXMT를 위시한 중국산 구형 D램 공급이 확대되면서 전반적인 가격 하락 등이 일어나고 있다.
글로벌 D램 점유율 1위인 삼성전자도 이러한 중국 내 공급과잉의 영향을 받는 모양새다. 박유악 키움증권 연구원은 14일 리포트에서 "CXMT 증설로 인한 삼성전자의 LPDDR4 시장 점유율 하락이 예상보다 가파를 수 있다"고 거론하기도 했다.
현재 D램의 주요 응용처인 모바일·PC 등 일반 소비재 시장은 장기화된 소비심리 위축과 이에 대비한 주요 OEM의 재고 비축으로 되살아나지 못하는 모습을 보이고 있다. 이로 인해 AI 수요가 D램 제조사의 실적을 이끌고 있지만, 이 역시 컨벤셔널 데이터센터·온디바이스AI 등으로 확대되지 못하고 고대역폭메모리(HBM)에 의존하고 있는 상황이 됐다.
낸드 역시 전방 수요 부진에 따라 가격이 하락하고 응용처별 양극화가 심화되는 양상을 띠고 있다. 모바일·PC 등 소비재 부진에 따라 범용 낸드 수요는 지속적으로 하락하는 반면, 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)에만 수요가 집중되고 있는 것이다.
반도체 업계 관계자는 "중국 메모리사의 생산능력 확대가 주로 범용 중심으로 투자되고 있지만, 삼성전자와 SK하이닉스 역시 범용 D램·낸드에 대한 생산 비중이 적지 않아 영향을 받을 수 밖에 없다"면서도 "이에 따라 최근 전환이 이뤄지는 DDR5·LPDDR5X 및 HBM 등 고부가 중심 제품으로 생산 비중을 옮기고 있는 것"이라고 설명했다.
실제로 삼성전자는 최근 결정한 신규 평택캠퍼스인 P4의 페이즈1(Ph1) 라인에 낸드 외 D램을 투자키로 결정하고 10나노미터 5세대·6세대(1a·1b) 등 선단 제품 생산을 확대하기로 했다. 이밖에 기존 캠퍼스인 P1~P3 등에서 생산하는 범용 D램 라인을 1a, 1b급 등으로 전환하고 있는 것으로 알려졌다.
SK하이닉스는 주력으로 자리잡은 HBM 생산량을 늘리기 위해 HBM전용 라인을 이천 등을 중심으로 늘리기로 했으며, 신규 투자하는 M15X 라인 구축을 위한 공사에 돌입한 상황이다. 이밖에 기존 유휴 공간을 활용해 HBM용 장비를 반입하기 위한 방안도 고려되는 것으로 전해졌다.
올해 시작된 온디바이스AI 응용처가 내년부터 활기를 띨 수 있을지도 지켜볼 대목이다. 현재 HBM 중심 매출 구조는 AI인프라 시장 점유율의 90%를 장악한 엔비디아에 의존하는 형태로, 인프라 투자 사이클 변동에 따라 매출이 꺾일 수 있는 불안정한 상황이다. 만약 내년 온디바이스AI와 관련해 모바일, PC 등으로 탑재되는 DDR5·LPDDR5X 등 선단 D램 수요가 늘어난다면 이를 보완해줄 것으로 기대받고 있다.
업계 관계자는 "플래그십 라인업을 주도하는 애플과 삼성전자의 모바일 수요가 얼마나 견인해줄지가 온디바이스AI용 메모리 확대에 영향을 미칠 것"이라며 "LPDDR5 D램 기반 AI PC용 저전력 D램 모듈인 LPCAMM5도 내년 노트북 시장 성장성에 따라 새로운 성과를 기대케하는 요소"라고 전했다.
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