반도체

[2020 IT혁신 어워드] SK하이닉스, D램 ‘HBM2E’

윤상호
[디지털데일리 윤상호 기자] SK하이닉스는 지난 7월부터 D램 ‘HBM2E’ 양산을 시작했다.

HBM2E는 3세대 HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)다. D램에 미세한 구멍을 뚫어 여러 개를 쌓는 TSV(Through Silicon Via) 기술을 활용했다. 패키지 방식 대비 크기 30% 이상 전력 소모 50% 이상 줄일 수 있다.

SK하이닉스 HBM2E는 16기가바이트(GB)다. 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품이다. 고화질(풀HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있다. 현존 D램 중 가장 빠르다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr
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