[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 최근 출시한 갤럭시노트3(LTE 버전, 모델명 N9005)의 부품 원가는 갤럭시노트2(3G 버전) 대비 18.5달러 비싸진 237.5달러라는 분석이 나왔다.

29일 EE타임스는 반도체 칩 컨설팅 전문업체인 테크인사이트의 조사결과를 인용해 이 같이 보도했다. 원가가 높아진 이유는 디스플레이 패널 크기 확대, 메모리 용량 증가, 상위 버전의 롱텀에볼루션 어드밴스드(LTE-A) 모뎀 통합 애플리케이션프로세서(AP) 채용 등으로 요약된다.

갤럭시노트3에는 삼성디스플레이가 생산한 5.7인치 풀HD(1920×1080) 해상도의 능동형(AM) 유기발광다이오드(OLED) 패널이 탑재된다. 이 제품은 기존 수직 형태의 화소 배열을 대각선 형태로 변경한 다이아몬드 화소 구조가 적용됐다. 올 상반기 출시된 갤S4에도 이 같은 화소 구조의 풀HD AM OLED 패널이 탑재됐다. S펜 구현을 위한 디지타이저 컨트롤러 모듈은 와콤이 W9010 모델을 제공했다.

메모리 용량도 늘어났다. D램은 3GB(K3QF7F70DM-QGCE), 낸드플래시는 32GB(KLMBG4GEAC-B001) 임베디드멀티미디어카드(eMMC)가 탑재됐다. 모두 삼성전자 반도체 사업부의 제품이다. 전작인 갤S4, 갤노트2와 비교하면 D램은 50%, 낸드플래시는 100% 용량이 늘어났다.

모바일 AP는 퀄컴의 스냅드래곤 800(MSM8974)이 탑재됐다. 스냅드래곤 800은 LTE-A 통신 모뎀이 통합된 유일한 AP로 주요 스마트폰 업체들의 하반기 전략 제품 대부분에 채용되고 있다. 기지국으로부터 고주파(수백MHz~ 수GHz) 신호를 받아 통신칩이 처리 가능한 저주파 대역으로 변조시키거나 그 반대의 역할을 하는 RF 트랜시버칩은 WTR1605L가 탑재됐다. WTR1605L RF칩은 LTE(7개 밴드 지원), HSPA+, CDMA2K는 물론 중국의 3G 통신 방식인 TD-SCDMA도 지원한다.

전력관리칩(PMIC)은 퀄컴의 PM8941, PM8841, 맥심의 MAX77804가 탑재됐다. 퀄컴 PMIC는 AP와 RF의 전력 관리를, 맥심 제품은 배터리 충전을 맡는 것으로 추정된다. 퀄컴의 차세대 RF 파워트래커 칩인 QFE1100가 적용된 것도 눈에 띈다. QFE1100은 통신 모드(3G, 4G)에 따라 최대 30%의 통신용 전력 소모량을 낮출 수 있는 제품이다. 이 칩이 스마트폰에 탑재된 것은 이번이 첫 사례다.

미세전자기계시스템(MEMS) 기반 센서는 인벤센스의 가속도 및 자이로스코프 기능을 통합한 6축 제품(MPU-6500)이 탑재됐다. 아울러 브로드컴의 NFC 컨트롤러인 BCM20795, 실리콘이미지의 MHL 2.0 트랜스미터인 SIL8240, 퀄컴의 오디오 코덱인 WCD9320, 무라타제작소의 블루투스 및 무선랜 프론트엔드 모듈 및 통신 안테나 스위치가 내장됐다. 이외에 ST마이크로의 코어텍스 M4 기반 32비트 MCU로 추정되는 (STM)32F401B도 적용돼 있었다. 이 제품은 센서허브 등의 역할을 담당할 것으로 예상된다.

카메라의 경우 후면 1300만화소, 전면 200만화소를 탑재했다. 전면 200만화소 센서의 경우 후면조사형(BSI, BackSide Illumination) CIS를 처음 사용한 것이 눈에 띈다. 셀프 카메라를 찍을 때 보다 나은 사진 결과물을 내놓을 것으로 기대된다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr