반도체

로옴, 전기차·고전압 시스템용 SiC SBD 개발…단자 연면 거리 연장

고성현 기자
로옴이 개발한 신형 SiC SBD와 기존 제품을 비교한 모습. 오른쪽이 신규 SiC SBD [ⓒ로옴]
로옴이 개발한 신형 SiC SBD와 기존 제품을 비교한 모습. 오른쪽이 신규 SiC SBD [ⓒ로옴]

[디지털데일리 고성현 기자] 로옴(ROHM, 대표 마츠모토 이사오)이 단자 간 연면 거리를 연장해 절연 내성을 높인 표면 실장 타입 실리콘카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 개발했다고 12일 밝혔다.

이번에 개발한 SiC SBD는 기존 패키지 하부에 배치된 센터 핀을 제거하고 독자적인 형상을 채용한 로옴 오리지널 패키지를 채용, 연면 거리를 일반품의 약 1.3배인 최소 5.1mm로 연장했다. 연면 거리를 길게 확보하면 단자 간 연면 방전(트래킹)을 억제할 수 있어, 고전압 응용처에서 기판에 디바이스를 표면 실장 시 수지 포팅을 통한 절연 처리가 필요하지 않다.

제품 내압은 650V와 1200V 두 종으로 전기차에서 활용되는 400V 시스템과 향후 채용 확대가 예상되는 고전압 시스템에 모두 활용할 수 있다. 또 TO-263 패키지 일반품 및 기존품과 공통된 패턴으로 실장할 수 있어 기존 회로기판에 대한 대체 사용이 가능하다. 자동차 기기용 SBD인 'SCS2xxxNHR'은 자동차 신뢰성 규격인 'AEC-Q101'에 준거하고 있다.

로옴은 신제품을 9월부터 샘플 출하 개시했으며, 후쿠오카 공장에서 제조한 뒤 한국 후공정 법인에서 패키징해 생산하고 있다. 현재 로옴은 이 제품을 보드 차저 (OBC) 등 자동차기기용으로 8개 기종을 구비했으며 다음달부터 FA 기기 및 PV 인버터 등 산업기기용으로 'SCS2xxxN' 8개 기종도 판매를 개시할 예정이다.

로옴 관계자는 "SiC를 사용한 고내압 SBD 개발을 추진해 시장 니즈에 맞는 전력 디바이스 제공을 통해 자동차, 산업기기 저전력화와 고효율화에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.

고성현 기자
naretss@ddaily.co.kr
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