[삼성전자컨콜] 20나노 D램은 DDR4부터 대응
[디지털데일리 한주엽기자] 백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 29일 오전 열린 2014년도 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “20나노 D램 양산 발표는 이미 했지만 해당 제품은 차세대 인터페이스인 DDR4로 만들었기 때문에 그쪽에 맞춰서 대응(램핑업)할 것”이라며 “20나노 및 25나노 D램 비중은 말할 수 없지만 전체 생산량의 3분의 2 이상이 원가경쟁력을 갖춘 제품들”이라고 말했다.
백 상무는 “20나노대로 가면서 생산 칩 수는 늘어나지만 공정 시간이 한 달 이상 증가하기 때문에 웨어퍼를 넣으면 2~3달 뒤에 최종 제품이 나온다”라며 “따라서 올해의 경쟁력 확보는 웨이퍼 투입을 어떻게(모바일&컴퓨팅 중 선택) 할 것인가에 달렸다”라고 말했다.
<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
이해진 네이버 의장, 트럼프 주니어와 30일 만난다… AI 기술 협력 논의하나
2025-04-29 19:05:59IPX, ‘서울스프링페스타’ 참여…명동부터 타임스퀘어까지 라인프렌즈 알린다
2025-04-29 17:36:00'SKT 유심 해킹' 불안 증폭… 금융 당국, 30일 오전 비상대응회의 개최
2025-04-29 17:35:17게임산업 위기론 고조…조영기 게임산업협회장 역량 ‘시험대’
2025-04-29 17:32:41