[삼성전자컨콜] 20나노 D램은 DDR4부터 대응
[디지털데일리 한주엽기자] 백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 29일 오전 열린 2014년도 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “20나노 D램 양산 발표는 이미 했지만 해당 제품은 차세대 인터페이스인 DDR4로 만들었기 때문에 그쪽에 맞춰서 대응(램핑업)할 것”이라며 “20나노 및 25나노 D램 비중은 말할 수 없지만 전체 생산량의 3분의 2 이상이 원가경쟁력을 갖춘 제품들”이라고 말했다.
백 상무는 “20나노대로 가면서 생산 칩 수는 늘어나지만 공정 시간이 한 달 이상 증가하기 때문에 웨어퍼를 넣으면 2~3달 뒤에 최종 제품이 나온다”라며 “따라서 올해의 경쟁력 확보는 웨이퍼 투입을 어떻게(모바일&컴퓨팅 중 선택) 할 것인가에 달렸다”라고 말했다.
<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
"토큰화된 실물 자산 시장, 2033년까지 연평균 53% 급성장" … 리플·BCG 전망
2025-04-08 10:15:10우주항공청, 주요국과 동맹 가속…“공동 연구개발 단초 마련”
2025-04-08 10:07:37"공공 클라우드 네이티브 전환 지원" 아이티언, NGINX 서비스 출시
2025-04-08 10:06:43"자율보안 시대, 제로트러스트 관심 뜨겁다" 금융권 세미나 개최
2025-04-08 10:01:50