한미반도체, HBM4 전용 'TC 본더 4' 출시…JEDEC 기준 완화로 수혜 기대 [소부장반차장]
[디지털데일리 배태용 기자] 한미반도체가 차세대 AI 반도체 핵심 기술로 부상한 HBM4(고대역폭 메모리) 생산을 위한 전용 장비 'TC 본더 4(TC BONDER 4)'를 출시하며 본격적인 시장 공략에 나선다.
한미반도체는 14일, HBM4 공정에 최적화된 TC 본더 4를 공식 출시했다고 밝혔다. 회사 측은 이번 신제품이 HBM4 생산용 장비 가운데 세계 최고 수준의 정밀도와 생산성을 갖춘 솔루션으로, 글로벌 반도체 고객사의 차세대 제품 생산에 핵심 역할을 할 것으로 기대하고 있다.
곽동신 한미반도체 회장은 "AI 시장의 폭발적인 성장과 함께 HBM 시장도 가파르게 확대되고 있다"며 "엔비디아가 하반기 출시 예정인 차세대 AI GPU '블랙웰 울트라'에도 한미반도체 TC 본더 장비가 적용될 예정으로, 당사의 HBM 본더 세계 시장 점유율 1위 위상은 여전히 견고하다"고 말했다.
업계에서는 HBM4 양산을 위해 하이브리드 본딩 기술이 필수라는 관측도 있었으나, 최근 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 HBM4 표준 높이를 775마이크로미터(μm)로 완화하면서 기존 TC 본더 기반 제조 공정이 가능해졌다. 이에 따라 한미반도체는 직접적인 수혜를 입게 됐다.
곽 회장은 "TC 본더 4는 정밀도와 생산성이 모두 향상된 장비로, 고난도 공정이 필요한 HBM4 제조에 최적화돼 있다"라며 "앞으로도 HBM4 시장 확대에 따라 실적에도 긍정적인 영향을 미칠 것"이라고 강조했다.
HBM4는 기존 HBM3E 대비 데이터 전송 속도가 약 60% 빨라지고, 전력 소모는 30% 가까이 줄어든 6세대 고대역폭 메모리로, AI·고성능 컴퓨팅(HPC) 시장에서의 수요가 급증할 것으로 예상된다. 단수는 최대 16단까지 지원하며, D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확대됐다. TSV(실리콘관통전극) 인터페이스 수는 HBM3E 대비 2배인 2048개로 늘어났다.
특히 16단 이상 고적층 구조에서는 마이크로미터 단위의 오차도 허용되지 않는 고정밀 본딩이 필수다. 이 과정에서 한미반도체의 TC 본더 장비는 적층 완성도와 생산 효율성을 좌우하는 핵심 역할을 수행하게 된다.
한미반도체는 현재 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 약 90% 이상의 점유율을 확보하고 있다. 이번 HBM4 전용 장비 출시는 향후 글로벌 AI 반도체 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화하는 계기가 될 것으로 전망된다.
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