[디지털데일리 배태용 기자] 중국 메모리 기업 CXMT(Changxin Memory Technologies)가 1B 나노 기반 DDR5 제품에서 불량 문제를 겪고 있는 것으로 알려지면서, 현물 시장에서 DDR5 가격이 반등세를 타고 있다.

공급 불안에 따른 고객사의 수요 쏠림이 본격화되며, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 반도체 업체들이 반사이익을 얻을 것이란 기대감이 커지고 있다. 특히 불량 해소까지 다소 시간이 걸릴 것이란 관측이 지배적인 상황이라 당분간 DDR5 강세가 지속될 가능성도 제기된다.

8일 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난달 31일 기준 고성능 PC 등에 들어가는 신형 D램인 DDR5(DDR5 16Gb 2Gx8)의 경우 4.25달러를 기록, 전월 대비 11.84% 상승했다. 또 DDR5에 붙는 가격 프리미엄도 DDR4 대비 38%에서 39%로 커졌다.

이번 가격 상승의 가장 직접적인 요인은 중국 CXMT의 1b 나노 기반 DDR5 제품에서 발생한 품질 이슈가 주 요인으로 지목된다. 업계에 따르면, CXMT는 최근 양산한 1B 나노 DDR5 제품에서 셀 간 누설전류(leakage current)가 비정상적으로 높아지는 문제가 발견됐다. 일부 제품에서는 고속 동작 환경에서 신호 무결성 저하로 인한 불안정성이 확인됐다는 전언이다. 이로 인해 납품된 제품 일부가 고객사 측 테스트를 통과하지 못하고 대체 공급처를 찾는 상황이 벌어진 것으로 전해졌다.

업계 한 관계자는 "1b 나노 공정은 세대 전환 과정에서 셀 간 간격이 좁아지는 만큼, 미세 공정에서의 전기적 간섭이나 누설전류 제어가 매우 까다롭다"라며 "CXMT는 아직 LPDDR4나 DDR4 등에서 검증된 경험은 있지만, DDR5 고속 제품에 대한 대량 양산 경험이 부족하다"고 설명했다.

실제 DDR5는 기존 DDR4 대비 데이터 전송 속도가 2배 이상 빨라지며, 고속 신호처리 특성상 미세 공정에서의 안정성이 핵심으로 떠오르고 있다. 국내 기업들이 수년간의 고난도 검증 과정을 통해 확보한 공정 기술을 갖추고 있는 것과 달리, CXMT는 본격적인 DDR5 시장 진입 초기 단계에 있어 일정 수준의 불량률이 불가피한 것으로 보는 시각도 있다.

문제는 이러한 불량 이슈가 단기간에 해소되기 어렵다는 점이다. CXMT가 채택한 공정 노드는 1B 나노 중에서도 EUV(극자외선) 공정이 아닌 DUV 기반으로 알려져 있으며, 이는 세부 패턴 정밀도에서 한계가 있다는 평가를 받고 있다. 업계는 CXMT가 이번 문제를 해결하려면 최소 2~3개월의 셀 재설계 및 공정 최적화 기간이 필요할 것으로 보고 있다.

이 같은 상황 속에서 일부 고객사는 CXMT로부터의 물량을 보류하고, 상대적으로 안정적인 양산 기반을 갖춘 삼성전자, SK하이닉스 등으로 발주처를 변경하고 있는 것으로 전해졌다. 국내 양대 메모리 업체는 이미 HBM, DDR5 등 고성능 메모리 제품에서 수율과 품질 안정성 측면에서 글로벌 고객사들의 신뢰를 확보한 상태다.

특히 서버용 DDR5의 경우 AI 서버 및 고성능 데이터센터 수요 증가로 프리미엄 제품 중심의 전환이 빠르게 이뤄지고 있는 가운데, CXMT의 생산 차질은 공급자 우위 시장을 더욱 공고히 만들 수 있는 변수로 작용한다.

한 메모리 업계 전문가는 "CXMT의 1b 나노 DDR5 양산은 사실상 기술 과시적 성격이 강했고, 실제 공급 안정성은 검증되지 않은 상태였다"라며 "이번 불량 이슈가 장기화될 경우 고객사 다변화를 추진하던 CXMT의 전략 자체가 흔들릴 수 있다"고 분석했다.

이어 "한국 업체들은 DDR5 뿐만 아니라 서버향 고용량 제품 포트폴리오에서 이미 글로벌 경쟁력을 확보하고 있어, 반사이익이 실제 수주 증가로 이어질 가능성이 있다"고 덧붙였다.