[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 시스템반도체에 이어 메모리 기술 로드맵도 선보인다. 업계 1위의 미래 제품에 대한 윤곽이 드러날 전망이다.

10일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 10월20일(현지시각) 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션 센터에서 ‘메모리 테크 데이’를 연다.

2017년 시작된 테크 데이는 삼성전자는 차세대 반도체 전략을 공개하는 자리다. 2019~2021년 코로나19 여파로 온라인으로 열다가 지난해 3년 만에 오프라인으로 진행했다. 올해는 시스템반도체와 메모리 사업부가 별도로 운영하기로 했다. 시스템LSI사업부는 같은 달 5일 미국 캘리포니아주 새너제이 반도체 캠퍼스에서 관련 행사를 진행한다.

한진만 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 미주총괄(DSA) 부사장이 환영사, 이정배 메모리사업부장 사장이 ‘기술 혁신과 생태계 조성에 초점을 맞춘 비즈니스 전략’을 주제로 기조연설을 한다.

이외에도 배용철 반도체 제품기획 부사장, 박종규 상무 등도 연사로 나선다. 브레이크아웃 세션에서는 메모리 솔루션, 스토리지 기술, 전장 등을 논의한다.

올해는 9세대 수직구조(V)낸드플래시 등장 여부가 관심사다. 삼성전자는 지난해 행사에서 236단 8세대 V낸드를 언급한 뒤 같은 해 11월 양산 개시한다. 당시 2024년부터 9세대 V낸드를 생산한다고도 밝혔다.

삼성전자의 9세대 V낸드 단수는 베일에 싸여있다. 업계에서는 200단대 후반에서 300단대 초반으로 추정한다.

최근 SK하이닉스가 개발 중인 321단 4차원(4D) 낸드를 2025년 상반기부터 양산한다고 발표했다. SK하이닉스는 이 제품을 3번에 나눠 쌓는 ‘트리플 스택’ 방식으로 구현한다.

이에 따라 삼성전자의 차기작이 어떨지에 대한 궁금증이 커진 상태다. 단수는 물론 ‘투 스택’ 여부 등이 주목할 요소다.

삼성전자는 작년 테크 데이 때 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다는 목표도 드러냈다. 이번 행사에서 좀 더 구체적인 내용이 나올 가능성이 제기된다.

인공지능(AI) 시장 급성장세에 따라 주목을 받는 고부가가치 D램도 관전 포인트다. D램을 적층해 성능을 대폭 끌어올린 고대역폭 메모리(HBM), 연산 가능한 저장 반도체인 프로세스 인 메모리(PIM) 관련 내용도 삼성전자가 꺼낼 것으로 관측된다.