퀄컴도 엔비디아도 TSMC…삼성 파운드리 해법은? [IT클로즈업]
게임체인저로 업계 최초 개시한 GAA(Gate All Around) 기반 3nm 공정이 거론된다. GAA는 최신 트랜지스터 방식으로 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길) 접촉면을 4개로 늘려 전력 효율을 높인 기술이다. 기존 핀펫(FinFET) 구조는 3면이 닿았다.
경 사장은 “3nm에 대한 고객 관심이 높다. 해당 부문에서는 TSMC보다 앞설 수 있다는 이야기가 있다”며 “4nm, 5nm도 성능과 가격 등을 개선하는 작업을 진행 중이다. 내년 말이면 우리 파운드리 모습이 지금과는 달라져 있을 것”이라고 강조했다.
삼성전자는 단순 점유율 증대보다는 최첨단 공정에서의 경쟁을 통해 경쟁사와 격차를 좁히겠다는 계획이다. 쉽게 말해 기술력을 바탕으로 ‘내용적인 1등’을 차지하겠다는 뜻이다.
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