-전 세대 대비 밀도 40%↑…EUV 공정은 미적용

[디지털데일리 김도현 기자] 미국 마이크론이 차세대 D램 고지를 선점했다. 삼성전자, SK하이닉스보다 먼저 제품 양산에 돌입했다.

26일(현지시각) 마이크론 1α(1-alpha) D램 대량 출하를 시작했다고 밝혔다.

마이크론 스콧 드보어 부사장은 “1α 노드 성과는 마이크론의 D램 우수성을 보여준 결과물”이라며 “1z D램 대비 밀도가 40% 향상됐다”고 설명했다.

해당 제품은 기존 최상급 D램인 10나노급 3세대(1z) 다음 버전으로 추정된다. 국내 업체들이 10나노급 4세대(1a) D램이라는 명명하는 것과 같은 급이다.

10나노미터(nm)는 100억분의 1미터(m)다. 10나노급 D램은 집적도(회로 간 선폭)이 10나노대라는 의미다. 10나노급 D램은 공정에 따라 1세대(1x), 2세대(1y), 3세대(1z)로 구분된다.

각각 10나노대 후반, 중후반, 초중반 정도다. 정해진 기준이 없어 회사마다 다르지만, 1z는 14~16나노 수준이다. 이번에 마이크론이 출시한 제품은 13나노 내외로 예상된다.

마이크론 수미트 사다나 부사장은 “1α D램은 전력 효율성이 높고 안정적인 솔루션 지원이 가능하다”며 “동급 최고의 모바일 플랫폼 작동 속도를 제공할 것”이라고 강조했다.

이번 신제품은 8기가비트(Gb)에서 16Gb까지의 밀도를 지원하는 것으로 알려졌다. 서버, 모바일 등 다양한 분야에서 활용될 전망이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 올해 안으로 1a D램을 생산할 예정이다. 양사는 극자외선(EUV) 공정을 도입한다. 마이크론은 EUV 없이 1α D램을 만들었다. 마이크론의 EUV 적용 일정은 미정이다.

한편 D램은 낸드플래시와 달리 적층이 어렵다. 별도의 캐패시터를 만들어야 하기 때문이다. 따라서 회로 선폭을 줄여 성능 및 효율을 높일 수밖에 없다. 회로의 물리적 거리가 가까워지면 ▲신호처리 속도 향상 ▲동작 전압 및 대기 전압 감소 ▲웨이퍼당 D램 생산량 증가 등의 이점이 생긴다. 메모리 업체들이 나노 경쟁을 펼치는 이유다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr