[디지털데일리 윤상호기자] 삼성전자가 낸드플래시 메모리 주도권을 이어간다. 5세대 V낸드를 양산한다. 슈퍼컴퓨터부터 모바일까지 고용량화 트랜드를 견인한다.
삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 ‘256기가비트(Gb) 5세대 V낸드’를 양산한다고 10일 밝혔다.
5세대 V낸드는 낸드 인터페이스 ‘토글(Toggle) DDR 4.0’ 규격을 적용했다. 초당 데이터 전송 속도는 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠르다. 소비전력량은 4세대 V낸드와 비슷하다. 데이터 쓰는 시간은 4세대 V낸드보다 30% 빠르다.
낸드 인터페이스 토글 DDR 4.0 적용은 삼성전자가 세계 최초다. 4세대 V낸드 양산은 지난 2016년 12월. 1년 반 만에 기술 장벽을 한 단계 뛰어넘었다. 삼성전자는 5세대 V낸드 양산을 위해 3대 혁신 기술을 자체 개발했다. ▲초고속 저전압 동작 회로 설계 ▲고속 쓰기 최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 ▲텅스텐 원자층박막 공정 등이다.
세대 진화로 생산성도 향상했다. 5세대 V낸드는 이전 세대 대비 30% 이상 생산성이 높다. 단수를 올리면 높아지는 셀 영역 높이를 20% 낮췄기 때문이다. 5세대 V낸드는 단층을 피라미드 모양으로 쌓는다. 최상단부터 최하단까지 수백나노미터 직경 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 원통형(3차원) CTF(Charge Trap Flash)셀을 형성한다. 셀은 850억개 이상이다.
삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 경계현 부사장은 “5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다”며 “향후 1테라비트(Tb)와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것”이라고 했다.