네덜란드 반도체 장비 업체 ASML이 19일(현지시간) 지난 2분기 매출액 21억유로(약 2조7100억원), 당기순이익 4억6600만유로(약 6000억원)의 실적을 기록했다고 밝혔다. 매출과 당기순이익 모두 지난 분기보다 10% 가량 늘어났다. 3분기 매출 가이던스는 22억유로(약 2조8400억원)이다.

ASML의 호실적에는 삼성전자가 있다. 대당 가격이 2500억원에 달하는 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 노광장비(모델명 NXE 3400B)를 올해 3대, 내년까지 모두 8대를 도입할 계획이기 때문이다. ASML은 올해만 EUV 장비를 통해 25% 가량의 판매 성장을 내다보고 있다. 이런 추세는 내년까지 이어질 것으로 전망된다.

포토 리소그래피(Photo Lithography)라 부르는 노광(露光) 공정은 빛을 이용해 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 과정을 뜻한다. EUV는 빛의 파장이 13.5나노미터(nm)로 현재 주력으로 사용하고 있는 이머전(Immersion, 액침) 불화아르곤(ArF)은 193nm보다 짧다. 덕분에 두 번, 혹은 세 번 이상의 패터닝(더블, 트리플)을 거치지 않고 미세한 회로를 만들어내는 것이 가능하다.

ASML은 2분기 실적발표에서 로직과 D램 업체에서 6건의 새로운 주문이 접수됐다고 밝혔다. 업계에서는 모두 삼성전자에 공급할 물량으로 보고 있다. 대만 TSMC가 초기 7나노 공정에서 EUV가 아닌 ArF 기술을 사용할 계획이기 때문이다. 이와 달리 삼성전자는 곧바로 EUV를 활용한다. 이를 통해 만들 제품은 애플리케이션프로세서(AP)와 같은 시스템반도체다.

D램에서도 EUV가 활용될 수 있다. 이를 공식적으로 밝힌 업체는 SK하이닉스다. 올해 1×(10나노 후반) 나노 D램 연구개발(R&D)을 완료하고 오는 2019년 EUV 노광 장비 도입을 계획하고 있다.

EUV 장비가 본격적으로 도입될 수 있었던 원동력은 출력을 250와트(W)로 높인 덕분이다. 2015년 기준으로 EUV 장비의 출력은 125W 정도였다. 하루에 1500장 정도의 웨이퍼를 처리할 수 있으나 이머전 ArF와 비교했을 때 아주 획기적이라고 말하기 어렵다. 감가상각까지 고려하면 최소 200W는 넘어야 했다.

EUV용 포토레지스트(PR)와 마스크 보호용 펠리클(pellicle)도 개발이 거의 끝났다. EUV 기술 자체가 빛을 투과하는 것이 아니라 여러 단계에 걸쳐 반사시켜야 하므로, 에너지 손실을 줄이면서 투과율(90% 이상 요구)과 250W 출력을 견딜 수 있는 내구성이 필수적이다. PR와 펠리클은 삼성전자, ASML, 호야, 아사히글라스 등이 R&D를 진행하고 있다.

피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO)는 “EUV 장비는 로직과 D램 모두 양산 준비가 잘 이뤄지고 있다”며 “긍정적 실적전망에 따라 이런 동향이 올해는 물론 내년까지 이어질 것”이라고 말했다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr