[디지털데일리 한주엽기자] 동부 그룹에서 매각 절차를 밟고 있는 동부하이텍이 올 연말까지 생산성 극대화 작업을 통해 파운드리 생산용량을 20% 확대한다는 계획을 세웠다. 아울러 공정 경쟁력을 높여 최종 칩 결과물의 성능도 높인다. 그러나 매출 및 이익의 ‘퀀텀점프’를 실현하기 위해선 신규 투자가 병행되어야 할 것으로 보인다.

3일 관련 업계에 따르면 동부하이텍은 현재 200mm 웨이퍼 투입기준 월 9만2000장인 파운드리 생산용량을 연말까지 11만장으로 확대한다. 5만2000장 규모의 경기도 부천 팹1, 4만장 규모 충북 음성 팹2의 생산용량을 각각 6만장, 5만장으로 늘리는 것이 골자다. 신규 투자 없이 일부 보완투자와 생산성 혁신 활동을 통해 이 같은 용량 확대가 가능하다는 것이 동부하이텍 측의 설명이다.

금동렬 동부하이텍 공정개발 상무는 “(매각 절차 등으로 인해 대규모 투자가 동반되는) 미세공정 전환, 웨이퍼 구경 확대는 고려하고 있지 않다”면서 “이미 보유한 공정의 생산성을 확대해 전체 용량을 늘리고 칩 성능을 높이는 방향으로 혁신 확동이 이뤄질 것”이라고 말했다.

복합고전압소자(BCDMOS), 고성능 아날로그 CMOS, CMOS이미지센서(CIS), 임베디드플래시로직, 고전압 CMOS 등 5대 주력 파운드리 공정의 경쟁력도 강화한다.

BCDMOS는 바이폴라(Bipolar) 공정을 활용한 아날로그 회로, CMOS 공정을 활용한 로직 회로, DMOS 공정을 활용한 고전압 소자를 하나의 칩에서 구현할 수 있는 혼성신호칩 제조공정이다. 동부하이텍은 고객사가 요구하는 기능을 모두 수용할 수 있도록 모듈러 컨셉을 도입하고 공정자산 확보를 통해 경쟁력을 확대한다는 방침이다.

고성능 아날로그 CMOS 공정에는 모바일용 칩 생산을 위해 노이즈 특성을 높이고 전류 누출을 최소한으로 줄이는 방향으로 연구개발(R&D)이 이뤄진다. 가격 경쟁이 심화되고 있는 CIS나 임베디드 플래시 로직 공정은 원가를 낮추는 데 전념한다. 고전압 CMOS 역시 마스크 레이아웃을 최소한으로 줄여 원가 축소에 나선다.

회로선폭은 현재 가진 장비로 90나노 공정까지 업그레이드가 가능할 것으로 보고 내년부터 BCDMOS, CIS, 고전압 CMOS에 순차적으로 적용할 계획이다. 현재 동부하이텍의 주력 파운드리 공정 회로선폭은 350~110나노다.

금 상무는 “동부하이텍은 파운드리 사업의 신성장동력으로 3D IC, 전력반도체스위칭소자(IGBT), 미세전자기계시스템(MEMS)을 적극 검토하고 있다”라며 “일부 R&D를 시작했지만 이들 사업을 본격화하려면 투자가 필요할 것으로 예상된다”라고 말했다.

작년 올 3분기까지 동부하이텍의 누적 매출액은 3873억원, 누적 영업이익은 63억원으로 전년 대비 실적은 크게 개선되고 있는 상태다. 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 동부하이텍은 작년 파운드리 사업을 통해 5억7000만달러의 매출을 기록, 전년 대비 6% 성장한 것으로 나타났다. 파운드리 업계 순위는 전년 대비 한 단계 뛰어오른 9위에 랭크됐다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr