[디지털데일리 김문기 기자] ST마이크로일렉트로닉스(지사장 박준식)는 데이터센터 및 AI 클러스터에서 보다 높은 성능의 광 인터커넥트를 지원하는 차세대 기술을 25일 공개했다.

ST는 새로운 실리콘 포토닉스 및 차세대 BiCMOS 기술을 통해 대규모 데이터센터를 운영하는 기업들과 주요 광 모듈 공급업체들이 이러한 문제를 해결하도록 지원하고 있으며, 2025년 하반기부터 800Gb/s 및 1.6Tb/s 광 모듈 생산을 본격적으로 확대할 예정이다.

데이터센터에서 상호 연결의 핵심은 수천 개에서 많게는 수십만 개의 광 트랜시버(Optical Transceiver)이다. 이러한 디바이스들은 광 신호를 전기 신호로 변환하고 또 그 반대로 변환해 GPU(Graphics Processing Unit) 컴퓨팅 리소스, 스위치 및 스토리지 간의 데이터 흐름을 가능하게 한다.

이 트랜시버 내부에는 ST의 독보적인 새로운 실리콘 포토닉스(SiPho: Silicon Photonics) 기술이 탑재돼 고객들이 여러 복잡한 구성 요소를 단일 칩에 통합할 수 있도록 지원한다. 또한, ST의 독보적인 차세대 BiCMOS 기술은 지속적인 AI 성장을 위한 핵심 요소인 초고속 저전력 광 연결을 제공한다.

레미 엘-우아잔(Remi El-Ouazzane) ST 마이크로컨트롤러, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 사장은 “AI 수요로 데이터센터 에코시스템 내에 고속 통신 기술 도입이 가속화되고 있다. ST가 전력 효율적인 새로운 실리콘 포토닉스 기술을 도입하고 차세대 BiCMOS 기술로 보완해 고객들이 차세대 광 인터커넥트 제품을 설계하도록 지원하는 데 적절한 시기이다. 이 제품은 대규모 데이터센터 운영사를 위한 800Gbps/1.6Tbps 솔루션을 구현하게 된다”고 말했다.

이어, “두 기술 모두 유럽의 300mm 공정 라인에서 제조될 예정이며, 광 모듈 개발 전략의 두 가지 핵심 구성요소를 지원하기 위해 독립적으로 대량 공급될 것이다. 이번 발표는 ST의 PIC 제품군의 시작을 알리는 첫 단계이며, 향후 밸류체인 전반에 걸쳐 주요 파트너들과 긴밀히 협력하면서 오늘날의 플러그형 광학 또는 미래의 광학 I/O와 같은 데이터센터 및 AI 클러스터 시장에서 실리콘 포토닉스 및 BiCMOS 웨이퍼의 핵심 공급업체가 되고자 한다”고 덧붙였다.