[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 최신 D램 양산에 돌입한다. 선폭을 업계 최소인 12나노미터(nm)대로 줄였다.

18일 삼성전자는 12nm급 공정으로 16기가비트(Gb) 더블데이터레이드(DDR)5 D램 양산을 시작했다고 발표했다. 10nm급 5세대(1b) D램으로도 불리는 제품이다. 앞서 삼성전자는 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마친 바 있다.

해당 D램은 회로 간 거리가 12.Xnm에 불과하다. SK하이닉스, 마이크론 등보다 앞선 수준이다. 아울러 차세대 규격인 DDR5 신제품인 만큼 관련 시장 확산에 기여할 것으로 관측된다.

소비전력은 전 세대(10nm급 4세대 D램) 대비 약 23% 개선된 것으로 전해진다. 이는 데이터센터 등을 운영하는데 높은 전력 효율을 제공한다. 탄소배출과 에너지 사용을 줄이는 글로벌 정보기술(IT) 기업들에 적합한 솔루션이 될 수 있다는 의미다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터 용량을 늘리기도 했다. D램 커패시터 용량이 증가하면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. 참고로 D램은 커패시터에 저장된 전하로 0과 1을 구분하는데 커패시터 용량이 클수록 데이터 구분이 명확해지고 오류가 줄어든다.

동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 도입됐고 최고 동작 속도는 7.2기가비피에스(Gbps)다. 30기가바이트(GB) 용량 초고화질(UHD) 영화 2편을 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12nm급 D램 라인업을 지속 확대할 방침이다. 응용처로 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등을 보고 있다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12nm급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도할 것”이라고 밝혔다.