[디지털데일리 백승은 기자] 일본 반도체 기업 로옴이 3세대 실리콘카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 무라타파워솔루션즈에 채용했다고 27일 발표했다.
로옴의 SiC SBD 'SCS308AH'는 무라타파워솔루션즈의 데이터 센터용 전원 유닛 'D1U 시리즈'에 탑재된다. 이를 통해 성능 향상 및 소형화에 기여할 방침이라는 설명이다.
최근 전 세계적으로 인공지능(AI) 및 증강현실(AR) 등이 진화하면서 데이터 통신량도 증가하고 있다. 이에 통신을 관리하는 데이터 센터에서는 서버의 소형화 및 고효율화가 새로운 과제로 떠오르는 상황이다. 로옴은 전원부의 소형 및 고효율화에 기여하는 SiC 파워 디바이스를 핵심 솔루션으로 앞세우고 있다.
제이 바루스 로옴 반도체 미국법인 사장은 "산업기기 분야 업계를 견인하는 무라타파워솔루션즈를 지원할 수 있게 돼 매우 기쁘게 생각한다"라며 "로옴은 무라타파워솔루션즈과 함께 산업 및 데이터 인프라용 SiC 기술을 최대한으로 발휘해, 전원 시스템의 에너지 효율을 한층 더 향상시켜 나가고자 한다"라고 말했다.
롱쳉 탄 무라타파워솔루션즈 책임 엔지니어 겸 프로젝트 리더는 "SiC 파워 기기를 탑재해 전력 밀도가 높은 고효율 전원을 개발할 수 있게 됐다"라며 "로옴을 선택한 이유는, 고신뢰성 제품과 더불어 신속한 지원 체제를 갖춰 시제품 개발 단계부터 샘플을 입수할 수 있었기 때문"이라고 전했다.