[삼성파운드리④] 이재용의 2030 시스템반도체 비전 'D-7년'
◆첨단 공정 최적화
삼성전자 파운드리 사업부는 수율(완성품 중 양품 비율) 논란에 자유롭지 못했다. 첨단 공정을 소화할 수 있는 유일한 업체로 수주를 따냈으나 기회를 살리지 못했다는 평가다. 수율, 납기 등 핵심 요소에서 TSMC에 밀려 5나노미터(nm) 및 4nm 공정 경쟁에서 사실상 완패했다.
이후 절치부심한 삼성전자는 반등의 계기를 마련했다. 5nm, 4nm 수율을 일정 수준 이상 끌어올린데다 세계 최초 3nm 기술 상용화에 성공했다. 올해는 공정 안정화가 관건이다.
작년 말 TSMC도 3nm 반도체 생산에 돌입했다. 삼성전자가 우위를 가져가기 위해서는 최소 유사한 수율을 유지해야 한다. 이를 위해 극자외선(EUV)용 펠리클 개발에 속도를 내고 있다. 펠리클은 포토마스크를 보호하는 초박막 필름으로 반도체 회로 패턴을 새기는 노광 공정에서 쓰인다.
구체적으로 노광은 포토레지스트(PR)를 바른 웨이퍼에 회로가 새겨진 포토마스크를 올리고 빛을 쬐는 단계인데 이때 포토마스크 오염을 막는 게 펠리클이다. 기존 불화아르곤(ArF)과 달리 EUV는 모든 물질을 흡수하는 성질이 있어서 전용 펠리클이 필요했다. 다만 투과율을 높이기가 쉽지 않아 제품 개발 자체가 쉽지 않았다. 삼성전자는 자체 또는 협력사들을 통해 상당 부분 진척을 이뤄냈고 본격 도입을 위해 총력을 기울이고 있다. EUV용 펠리클을 적용하면 비용과 수율 등의 개선에 긍정적이다.
아울러 삼성전자는 3nm와 함께 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 공법을 처음으로 도입했다. TSMC는 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터로 3nm를 운영 중으로 2nm부터 GAA 활용 예정이다. 이에 따라 선제적으로 GAA 고도화를 진행한다면 TSMC와 차별화 포인트를 둘 수 있다. 내후년부터 개화할 차세대 EUV인 ‘하이 뉴메리컬어퍼처(NA)’ 공정 및 소재 연구개발(R&D)도 집중해야 할 분야다.
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