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"삼성전자 기다려"…TSMC, 3나노 반도체 양산 돌입

디지털데일리 발행일 2022-12-30 13:17:28
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김도현
- 대만 공장서 기념식 진행
[디지털데일리 김도현 기자] 대만 반도체 수탁생산(파운드리) 업체 TSMC가 3나노미터(nm) 반도체 생산 개시했다. 삼성전자에 이어 두 번째다.

29일 TSMC는 대만 남부 타이난 과학단지 내 18팹에서 3nm 대량 생산 및 용량 확장 행사를 개최했다고 밝혔다.

마크 리우 TSMC 최고경영자(CEO)는 “이번 행사는 (TSMC가) 대만에서 첨단 기술을 개발하고 양산하기 위한 움직인다는 것을 입증한 사례”라며 “3nm 기술은 슈퍼컴퓨터, 데이터센터, 최신 모바일 기기 등에 사용될 것”이라고 말했다.

리우 CEO의 발언은 최근 TSMC가 연구개발(R&D) 및 생산거점을 미국, 일본 등으로 옮기는 것 아니냐는 자국 우려에 대한 해명이다. 앞서 TSMC는 미국에 3nm 및 4nm 공정 시설을 마련할 것이라고 발표한 바 있다. 일본에서는 3nm 디자인센터를 신설하기도 했다.

TSMC에 따르면 18팹은 1단계부터 8단계까지 클린룸 면적이 5만8000제곱미터(㎡)로 표준 로직 칩 공장의 2배다. 18팹 구축에는 604억달러(약 77조원)가 투입됐다.

TSMC의 3nm 공정은 기존 5nm 대비 속도 10~15%, 전력 효율 30~35% 향상됐다. 트랜지스터 구조는 지느러미 모양의 3차원 구조 핀펫(FinFET) 방식이 적용됐다. 지난 6월 3nm 공정을 상용화한 삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 기술을 도입했다. 핀펫 대비 접촉 면을 1개 더 늘려 성능을 높인 것이 특징이다.

향후 TSMC는 대만 신주 과학단지 내 2nm 생산라인을 세울 것이라고 언급했다. 해당 지역에 글로벌 R&D 센터를 내년 2분기 오픈하기도 한다. 앞서 언급한 대로 탈(脫)대만 이슈를 최소화하려는 움직임으로 풀이된다.
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김도현
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