- 박용인 사장, “통합 솔루션 팹리스 될 것”
- 이정배 사장, “메모리, 다양한 플랫폼과 상호진화”
- 차량용 메모리, 2025년 1위 목표

[디지털데일리 윤상호 기자] 삼성전자가 반도체 수탁생산(파운드리)에 이어 설계(팹리스) 회사로서의 면모를 강화한다. 3년 만에 오프라인 행사를 열고 고객사 확대에 나섰다.

삼성전자(대표 한종희 경계현)는 지난 5일(현지시각) 미국 캘리포니아주 세너제이에서 ‘삼성 테크 데이 2022’를 개최했다고 6일 밝혔다.

삼성 테크 데이는 삼성전자 차세대 반도체를 소개하는 자리다. 2017년 시작했다. 올해는 3년 만에 오프라인으로 복귀했다. 오전에는 시스템LSI사업부 오후에는 메모리사업부가 맡았다.

삼성전자 시스템LSI사업부장 박용인 사장은 “사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 ▲두뇌 ▲심장 ▲신경망 ▲시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것”이라며 “삼성전자는 ▲시스템온칩(SoC) ▲이미지센서 ▲디스플레이구동칩(DDI) ▲모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 ‘통합 솔루션 팹리스’가 될 것”이라고 말했다.

삼성전자 시스템반도체 제품군은 약 900개다. SoC는 파트너사와 협업해 ▲중앙처리장치(CPU) ▲그래픽처리장치(GPU) ▲신경망처리장치(NPU) ▲모뎀 등을 개발한다. 사람 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 확보한다. 오감 감지 센서도 추진할 방침이다.

또 다양한 엑시노스 시리즈를 발표했다. ▲차량용 SoC ‘엑시노스 오토 V920’ ▲5세대(5G) 이동통신 모뎀 ‘엑시노스 모뎀 5300’ ▲모바일 애플리케이션프로세서(AP) ‘엑시노스 2200’ ▲2억화소 이미지센서 ‘아이소셀 HP3’ ▲생체인증카드용 지문인증 집적회로(IC) 등을 선보였다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조기가바이트(GB)를 넘어서고 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다”라며 “향후 ▲고대역폭 ▲고용량 ▲고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전해 나갈 것”이라고 전했다.

삼성전자는 2023년 5세대 10나노급(1b) D램을 양산할 예정이다. 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 신공정을 적용한다. ▲32기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램 ▲8.5기가비피에스(Gbps) 저전력(LP)DDR5X D램 ▲36Gbps 그래픽(G)DDR7 D램 등의 출시를 준비 중이다.

아울러 ▲HBM-PIM(Processing-in-Memory) ▲AXDIMM(Acceleration DIMM) ▲CXL(Compute Express Link) 등을 지원하는 D램을 제공한다.

9세대 V낸드는 2024년부터 양산한다. 2030년까지 V낸드 적층 기술을 1000단까지 늘릴 예정이다. 연내 8세대 V낸드 기반 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다. 512Gb TLC도 소개했다. 이와 함께 QLC(Quadruple Level Cell) 생태계 확대를 추진한다.

차량용 메모리 시장은 2025년까지 1위를 목표로 삼았다. 삼성전자는 2015년 이 시장에 진입했다. 솔리드스테이트드라이브(SSD)는 내부 D램 대신 PC D램과 연결하는 HMB(Host Memory Buffer) 기술 ‘PM9C1a’를 전시했다.

한편 삼성전자는 ‘삼성 메모리 리서치센터(SMRC)’를 개소했다. 고객과 차세대 메모리 솔루션 개발 및 평가를 하는 곳이다. 한국을 시작으로 미국 등 다른 지역으로 확장할 계획이다.