- 실리콘 기반 대비 크기 80% 무게 70%↓

[디지털데일리 김도현기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST마이크로)가 갈륨나이트라이드(GaN) 사업을 강화한다.

27일 ST마이크로는 세계 최초로 실리콘 기술 기반 하프-브리지 드라이버와 2개의 GaN 트랜지스터를 내장한 ‘MasterGaN’ 플랫폼을 공개했다. 해당 솔루션은 최대 400와트(W)까지 컨슈머 및 산업용 애플리케이션(앱)을 지원하는 소형의 효율적인 차세대 충전기와 전원 어댑터 개발을 가속할 것으로 보인다.

ST마이크로는 “GaN 기술로 구현된 디바이스는 작고 가벼우면서 에너지 효율적이며 더 많은 전력 처리가 가능하다. 이러한 기술 향상은 스마트폰의 초고속 충전기, 무선 충전기, PC는 물론 무정전 전원공급장치, 유기발광다이오드(OLED) TV 및 서버 클라우드 등 산업용 앱에 변화를 가져올 것”이라고 설명했다.

현재 GaN 시장은 일반적으로 디스크리트 전력 트랜지스터와 드라이버 집적회로(IC)가 사용되고 있다. 설계자들은 이를 조합해 최상의 성능을 구현하는 방법을 찾아야 한다. ST의 MasterGaN은 이러한 문제가 없어 제품 출시를 앞당기고 성능을 보장한다.

GaN 기술과 ST 집적화 제품을 활용해 일반 실리콘 기반 솔루션 대비 충전기 및 어댑터의 크기를 80%, 무게는 70%까지 줄일 수 있다.

마테오 로 프레스티 ST 아날로그 서브-그룹 사업본부장은 “MasterGaN 플랫폼은 검증된 전문성과 전력 설계 기술에 바탕을 두고 있다. ST마이크로의 고전압 스마트 전력 BCD 프로세스와 GaN 기술을 결합한 덕분”이라고 말했다.

한편 ST마이크로는 지난 3월 GaN 전문업체 엑사간 지분을 인수했다. 기존 전력 전자산업에서 사용하는 실리콘(Si) 기반 기술을 ‘GaN-on-Silicon’ 기술로 대체, 작고 효율적인 전기 컨버터를 구현하는 데 주력하고 있다. 엑사간의 GaN 전력 스위치는 표준 200밀리미터(mm) 웨이퍼 팹에서 생산할 수 있도록 설계됐다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr