- 클린룸 공사 이어 장비 투입 ‘스타트’

[디지털데일리 김도현기자] 삼성전자가 첨단공정 전환속도를 올린다. 경기도 평택캠퍼스에는 ‘2공장(P2)’과 극자외선(EUV) 라인 ‘P-EUV(P3)’가 세워지고 있다. P2와 P3는 올해 하반기 가동 예정으로, 첨단 D램이 생산되는 곳이다.

8일 업계에 따르면 삼성전자는 평택 신공장에 반도체 장비를 투입하고 있다. 최근 테스, 엘오티베큠 등은 삼성전자와 장비계약을 체결했다고 밝혔다.

반도체 공장은 ‘건물 설립 – 클린룸 설치 – 장비 투입 – 시제품 생산 및 테스트(시험 가동) - 고객사 납품 칩 양산’ 순으로 구축된다. 지난 2월24일 신성이엔지가 클린룸 공사를 시작했고, 지난달부터 장비 입고가 시작된 것으로 보인다. 클린룸은 천장과 바닥에 설치된 필터를 통해 미세입자를 제거하는 공간이다.

화학기상증착(PECVD) 장비, 건식 식각장비(Dry Etcher) 등을 생산하는 테스는 지난달 28~29일 2건의 수주 내용을 공시했다. 각각 140억원, 163억원 규모다. 엘오티베큠은 같은 달 29일 건식진공펌프 및 플라즈마 전처리시스템을 삼성전자에 납품한다고 전했다. 계약 규모는 93억원이다.

P2에는 2세대(1y) 및 3세대(1z) 10나노급 D램 설비가 들어선다. 초기 생산능력(CAPA)은 월 3만(30K)장 수준이다. 삼성전자는 1y와 1z D램의 비중을 높이고 있다. 회로 간 선폭(집적도)이 각각 10나노대 중후반, 초중반 정도다. 회로의 물리적 거리가 가까워지면 ▲신호처리 속도 향상 ▲동작 전압 및 대기 전압 감소 ▲웨이퍼당 D램 생산량 증가 등의 이점이 생긴다.

P3은 D램 전용 EUV 팹이다. 삼성전자는 지난 3월 EUV 공정을 적용한 1세대(1x) DDR(Double Data Rate)4 D램 모듈을 생산했다고 밝혔다. EUV는 파장 길이가 짧아, 미세한 회로를 그리는 데 적합하다. 얇은 붓을 쓰면 섬세한 그림을 그릴 수 있는 것과 같은 원리다. 웨이퍼당 생산성은 2배 이상 높일 수 있다. 삼성전자는 4세대(1a) DDR5 D램부터 EUV를 본격 도입한다.

반도체 업계 관계자는 “중국 시안 등 해외 생산기지의 장비 투입이 일부 지연되면서, 평택 신공장에 우선 입고되는 것으로 안다. 당초 계획보다 가동 시점이 빨라질 수도 있는 상황”이라고 설명했다.

한편 ASML은 2분기에 EUV 장비 10대 이상을 고객사에 전달할 계획이다. ASML은 해당 장비 독점 공급사다. 지난 1분기 장비 투입이 제한되면서, 물량이 2분기로 몰렸다. 이 중 일부는 P3에 보내질 것으로 보인다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr