[디지털데일리 한주엽기자] 대만 반도체 위탁생산 업체인 TSMC가 자사 기술을 빼냈다며 삼성전자 임원을 고소한 사실이 뒤늦게 밝혀졌다. 현재 소송이 진행 중이다. 이 임원은 TSMC에서 일하다 삼성전자로 이직한 인물이다.

EE타임스는 최근 TSMC 임원 출신인 딕 서스턴을 인터뷰하고 이같은 내용을 보도했다. 이에 따르면 TSMC는 지난 2011년 28나노 공정 기술을 삼성전자에 유출한 혐의로 양몽송 삼성전자 부사장을 고발했다. 량 부사장은 TSMC에서 17년간 연구임원으로 일하다 2009년 퇴직했다. 이후 성균관대학교에서 교수로 근무했으며 2011년 삼성전자 시스템LSI 사업부에 입사해 부사장직을 맡았다. 딕 서스턴은 이번 소송이 삼성전자 등 경쟁사에 보내는 경고 차원이라고 설명했다. 자사 임원을 영입해 기술을 빼 내가지 말라는 것이다. TSMC 측은 삼성전자가 28나노 공정 기술이 14나노 핀펫(FinFET) 공정에서 자사를 추월하게 된 기반이 됐다고 주장하고 있다.

그러나 이 주장은 터무니 없다는 것이 업계 전문가들의 반응이다. 삼성전자는 이미 지난 2011년 12월 세계 3대 반도체 학회 중 하나인 국제전자소자회의(International Electron Device Meeting, IEDM) 2011에서 세계 최소형 회로 선폭의 20나노 평면형 하이케이메탈게이트(HKMG) CMOS 공정의 연구결과를 발표한 바 있다(논문 제목 : Bulk planar 20nm high-k/metal gate CMOS technology platform for low power and high performance applications). 업계 전문가는 “고성능 소자 분야의 공정 미세화 경쟁에서 삼성전자에 뒤쳐졌다는 조바심이 이 같은 상황을 만든 것 같다”고 견해를 밝혔다.

한편 대만 법원은 지난해 4월 2심 판결까지 TSMC의 손을 들어줬다. 현재 대법원 판결만 남았다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr