[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자는 21일 세계 최초로 20나노 공정으로 생산된 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) 서버 D램 양산에 성공했다고 발표했다.

20나노 8Gb DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품으로 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 것으로 예상된다.

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지도 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있으며, 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 20나노 D램 시대를 주도할 풀 라인업을 구축했다. 20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.

기존 4Gb 제품 기반 모듈의 최대 용량은 64기가바이트(GB)지만 이번 8Gb D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목하면 최대 128GB의 모듈을 구현할 수 있다(8Gb=1GB). TSV는 상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 기존 방식(와이어)에 비해 속도, 소비전력을 개선할 수 있다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 “이번 20나노 8Gb DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 고성능, 고용량, 저전력 특성을 모두 만족시킨 제품”이라며 “향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4Gb, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6Gb, 서버용은 고용량의 8Gb D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 출시한다는 계획이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr