[디지털데일리 한주엽기자] SK하이닉스(www.skhynix.com 대표 박성욱)가 세계 최초로 20나노급 8기가비트(Gb) DDR4 기반 최대용량 128GB기가바이트(GB) 모듈을 개발했다고 6일 밝혔다.

이 제품은 실리콘관통전극(TSV Through Silicon Via) 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식이다. 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.

신제품은 속도 측면에서 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps를 구현했다. 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.

SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발, 주요 고객에 샘플을 제공함으로써 서버용 D램 시장에서도 기술리더십을 이어 나가게 됐다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장(전무)은 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열었다”라며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

시장조사업체 가트너에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일 클라우드 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망이다. 아울러 DDR4 D램은 2014년 고객 인증을 시작으로 2015년부터는 시장이 본격화돼 2016년 이후에는 시장 주력 제품이 될 것으로 예상된다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr