[디지털데일리 한주엽기자] SK하이닉스가 업계 최소 단위 공정을 적용한 낸드플래시를 세계 최초로 개발하고 해당 칩을 공급할 거래선도 확보했다. 조만간 본격 양산에 나설 것으로 관측된다.
18일 SK하이닉스는 지난 상반기 16나노 미세공정을 적용한 64기가비트(Gb) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 개발에 성공했다고 밝혔다. 이 제품은 기존 20나노 64Gb 제품 대비 생산성이 크게 향상돼 보다 높은 원가 경쟁력을 확보할 수 있게 됐다고 회사 측은 강조했다.
SK하이닉스는 기업용 SSD 스토리지 전문 업체인 미국 스카이에라(Skyera)에 16나노 낸드플래시를 공급한다. 스카이에라는 SK하이닉스의 16나노 낸드플래시 칩을 공급받아 고성능 및 고신뢰성이 특징인 SSD 기반 기업용 스토리지 ‘스카이이글’를 제조한다는 계획이다. SK하이닉스 측은 “16나노 낸드플래시가 모바일 임베디드멀티미디어카드(eMMC) 및 스토리지용 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 우선 탑재될 것”이라고 설명했다.
메모리 업계는 10나노 중반대의 낸드플래시 양산에 열을 올리고 있다. 미국 마이크론은 지난 7월 16나노 공정의 128Gb MLC 낸드플래시 샘플 칩을 개발했다고 공식 발표했다. 이 제품은 올해 4분기 양산된다. 일본 도시바도 현재 19나노에서 한 단계 나아간 16~17나노 공정의 낸드플래시를 개발하고 있다.
16나노 전후 낸드플래시 생산 라인에는 회로 패턴을 그려넣는 노광 공정을 3번에 걸쳐 실시하는 쿼드 패터닝 기법이 도입된다. 현재 양산 라인에 도입된 이머전 불화아르곤(ArF) 노광 장비로 그려넣을 수 있는 물리적 회로 선폭의 한계치는 38나노. 메모리 업체들은 38나노 이하 공정에선 노광을 2회에 걸쳐 실시하는 더블 패터닝 기법을 활용해 19나노까지 낸드플래시 회로 선폭을 축소한 바 있다.
업계 관계자는 “쿼드 패터닝을 적용하면 생산 시간이 늘어나 공정 미세화에 따른 원가절감 효과가 과거 대비 떨어질 수 밖에 없다”라며 “낸드플래시의 구조적 한계(전하 저장 용량)로 주요 업체들은 16나노 이후로는 평면이 아닌 적층 구조의 3D 낸드플래시를 본격 양산하게 될 것”이라고 말했다. 평면 구조 낸드플래시는 16나노가 마지막이라는 의미다.
삼성전자의 경우 쿼드 패터닝을 활용해 회로 선폭을 16나노로 축소하는 대신 낸드 칩을 위로 쌓아 올린 3D 낸드플래시(V낸드)를 양산키로 했다고 밝혔다.