[디지털데일리 한주엽기자] 일본 메모리 반도체 업체인 엘피다가 회로 선폭을 25나노미터(10억분의 1m)로 줄인 D램 개발에 성공했다고 니혼게이자이신문이 2일 보도했다.
이 신문에 따르면 엘피다는 7월부터 히로시마 공장에서 25나노미터 공정의 D램을 생산할 계획이다. 엘피다가 개발한 25나노 D램의 용량은 2Gb(기가비트)다. 연내 4Gb D램도 생산을 시작할 예정이다.
신문은 회로 선폭이 줄어든 만큼 반도체 원판에서 뽑아낼 수 있는 칩 생산량이 늘어나며 이에 따라 생산 효율도 약 30% 향상될 전망이라고 설명했다. 아울러 엘피다가 지금까지는 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서 삼성전자 등 국내 업체에 뒤쳐졌지만 이번 25나노미터 D램 개발로 이를 뒤집었다고 평가했다.
그러나 이 같은 소식에 국내 반도체 업계의 반응은 덤덤하다. 그간 일본 현지 언론을 통해 흘러나온 엘피다의 소식이 사실이 아닌 것으로 밝혀졌거나 과장됐던 적이 더러 있었기 때문이다.
실제로 최근 엘피다가 D램의 고정거래가격을 인상할 것이라는 일본 언론의 보도는 사실의 아닌 것으로 파악되기도 했다.
업계 한 관계자는 “엘피다가 50나노대 제품을 주력으로 생산하는 것으로 안다”며 “40나노대에서 안정화 과정을 거치지 않고, 30나노대를 건너뛰어 25나노로 가기란 쉽지 않은 일”이라고 말했다.
또 다른 관계자는 “현지 신문의 보도가 사실이라 하더라도 실제 양산시 수율 안정화가 관건인데 이전 세대에서도 어려움을 겪었던 업체가 성공적으로 양산을 할 수 있을 지는 지켜봐야 할 것”이라고 말했다.
엘피다는 D램 가격이 바닥권을 형성한 지난 1분기 60억엔(약 780억원)의 적자를 기록했다. 업계에서는 엘피다가 이 같은 적자를 낸 이유로 미세공정전환이 늦어 원가경쟁력을 확보하지 못했기 때문인 것으로 보고 있다.