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로옴, GaN 디바이스 전용 반도체 출시

디지털데일리 발행일 2022-03-23 17:41:33
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김도현
[디지털데일리 김도현 기자] 일본 반도체 기업 로옴이 갈륨나이트라이드(GaN) 관련 신제품을 내놓았다.

23일 로옴은 산업기기 및 사물인터넷(IoT) 통신기기 전원 회로용으로 150볼트(V) 내압 GaN HEMT ‘GNE10xxTB’ 시리즈 양산에 돌입했다고 밝혔다.

일반적으로 GaN 디바이스는 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능이 뛰어나 각종 전원의 저소비전력화 및 주변 부품의 소형화에 기여한다. 하지만 게이트 내압이 낮아 스위칭 시 디바이스 신뢰성에 과제가 있었다.

이번에 출시한 제품은 독자적인 구조를 통해 게이트 – 소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V까지 높이는 데 성공했다. 스위칭 시에 6V를 초과하는 오버슈트 전압이 발생하더라도 디바이스가 열화되지 않는다.
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김도현
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