- 낸드·D램·파운드리 순으로 구축 예정

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자의 신공장 윤곽이 드러나고 있다. 이달 말부터 인프라 장비를 투입하는 등 올해 하반기 완공을 위한 사전 작업에 돌입한다.

8일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 3월부터 경기 평택 3공장(P3)의 낸드플래시 제조장비 주문을 시작한다. 늦어도 5월까지는 마무리될 예정이다.

P3는 건축허가 면적 70만제곱미터(㎡), 길이 700미터(m)로 축구장 25개 크기로 조성된다. 축구장 16개 수준 평택 2공장(P2) 대비 1.5배 이상 크고 단일 팹으로는 세계 최대다.

P3는 메모리와 반도체 수탁생산(파운드리) 라인이 동시 가동되는 복합 생산기지로 꾸려진다. 구축 순서는 낸드플래시 – D램 – 파운드리 순으로 이뤄진다.

반도체 업계 관계자는 “가장 급한 낸드부터 공사를 개시하고 D램과 파운드리는 비슷한 시기에 시작할 것”이라고 전했다.

현재 삼성전자는 176단 수직구조(V) 낸드 라인을 준비하고 있다. 해당 제품은 작년부터 P2에서 생산되고 있단 최첨단 낸드다. 삼성전자는 최초로 두 번에 나눠 쌓는 ‘더블스택’ 방식을 도입했다.

지난 7일 클린룸 전문업체 신성이엔지와 계약을 체결하면서 기초공사를 본격화했다. 유해가스를 제거하는 스크러버, 온도 조절하는 칠러 등은 이미 생산 중인 가운데 이달 말부터 반입된다.

오는 6~7월에는 D램 라인용 공정 장비 발주에 들어갈 것으로 보인다. 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 14나노미터(nm) D램 등이 양산될 예정이다. EUV 기반 3nm 내외 시스템반도체를 생산할 파운드리 라인도 유사한 시점에 장비 발주가 이뤄질 전망이다.

낸드 라인은 초기 월 1만장(10K) 수준으로 마련된다. 이를 돌려본 뒤 추가 설비 투자가 진행된다. 제품별 최종 생산능력(캐파)은 아직 구체화하지 않은 것으로 전해진다.

한편 삼성전자는 평택 4공장(P4) 인프라 투자를 진행 중이며 올해 상반기 내 미국 텍사스주 테일러시에 파운드리 공장을 착공한다. 하반기에는 P2의 잔여공간을 채우는 시설투자도 예고된 상태다.

다른 업계 관계자는 “올해는 작년과 반대로 하반기에 더 활발한 투자가 이뤄질 것”이라며 “3분기부터 삼성전자향 대규모 장비 수주가 발생할 전망”이라고 설명했다.