반도체

SK하이닉스, EUV D램 ‘선공’…1a나노 D램 ‘양산’

디지털데일리 발행일 2021-07-12 09:26:04
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윤상호
- 8Gb LPDDR4 D램 생산…하반기 공급

[디지털데일리 윤상호 기자] SK하이닉스가 극자외선(EUV)을 활용한 D램 생산을 본격화했다.

SK하이닉스(대표 박정호 이석희)는 10나노미터(nm) 4세대(1a) 8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4) D램 양산을 개시했다고 12일 밝혔다.

D램 제조사는 10nm 공정부터 한 자릿수 단위에 알파벳을 사용해 제품 세대를 구분하고 있다. 1x 1y 1z 1a 등으로 지칭한다. 1a가 4세대다. 알파벳이 의미하는 실제 숫자는 업체별 차이가 있다. SK하이닉스의 경우 1a D램은 1x D램 대비 1장의 웨이퍼에서 만들 수 있는 양이 약 25% 많다.

EUV는 기존 공정에 비해 더 세밀하게 반도체 회로를 그릴 수 있는 장비다. SK하이닉스는 1y D램에 EUV를 일부 적용 안정성을 시험했다. EUV 공정으로 전체 제품을 만드는 것은 이번이 처음이다. 하반기 고객사에 공급 예정이다.

SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장 조영만 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 말했다.

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윤상호
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