- 7세대 V낸드 공급 본격화…1000단 V낸드 기술도 선도

[디지털데일리 윤상호 기자] 삼성전자가 메모리반도체 초격차 우려 불식에 적극적으로 나서고 있다. 낸드플래시 기술 현황을 공개했다.

8일 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 송재혁 부사장은 삼성 뉴스룸에 ‘차세대 낸드플래시가 바꿀 미래’를 기고했다.

송 부사장은 “반도체 산업에서 우연은 없다. 오늘의 삼성전자가 인고의 시간을 겪고 세계 1등이 된 것은 열정과 혼, 사명감이 있었기 때문”이라며 “미래 1000단 V(Vertical)낸드 시대에도 삼성전자 V낸드는 혁신적 기술력을 기반으로 업계 최고 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것”이라고 강조했다.

3차원(3D) 수직 구조 V낸드는 삼성전자가 2013년 처음 선보였다. V낸드는 수직으로 쌓아 올린 3D 공간에 구멍을 내 각 층을 연결한 낸드다. 24단부터 시작한 V낸드 단수는 현재 200단에 근접했다. 단수가 올라가며 높이는 낮추고 많이 쌓는 경쟁이 심화했다. 삼성전자 7세대 176단 V낸드는 100단 초반 6세대 V낸드와 높이가 같다. 7세대 V낸드 적용 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)는 올 하반기 첫 출시 예정이다.

삼성전자는 업계 유일 3D스케일링 기술과 싱글스택 에칭 기술력을 모두 갖췄다. 3D스케일링은 셀의 평면적과 높이를 줄이는 기술이다. 싱글스택 에칭 기술은 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫는 것이 특징이다.

송 부사장은 “이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황으로 시장 상황과 고객 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”라며 “미세한 기술력의 우위가 결국 고객에게 차별화된 가치를 제공하고 시장은 이를 통해 역시 삼성전자임을 인정할 것으로 믿고 있다”라고 역설했다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr