- 2023년 양산 예정…‘복합 생산라인’ 구축 전망

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 반도체 초격차 여정을 이어간다. 반도체 메카로 떠오른 평택캠퍼스를 중심으로 대규모 투자가 이뤄진다. 올해 2공장 내 낸드플래시와 위탁생산(파운드리) 라인이 가동을 시작하고 3공장은 건물 공사가 마무리될 예정이다.

27일 업계에 따르면 삼성전자의 경기 평택 3공장(P3)은 연내 준공된다. 지난해 부지 평탄화 작업을 진행한 데 이어 기초 공사에 돌입했다. 통상 건물 준공은 1년여가 소요된다.

이재용 삼성전자 부회장은 지난 4일 새해 첫 경영 행보로 평택캠퍼스를 찾았다. 당시 P3 건설 현장을 둘러보기도 했다. P3의 중요성을 드러내는 대목이다.

P3의 건축허가 면적은 70만제곱미터(㎡) 규모다. 길이는 P2(400m)보다 더 긴 700m다. 축구장 길이의 7배 수준이다. P2에 약 30조원이 투입되는 것을 고려하면 P3에는 막대한 자금이 사용될 전망이다.

내부에 어떤 라인이 들어설지는 미정이다. 삼성전자는 시장 상황에 따라 조절할 방침이다. 업계에서는 메모리(D램 및 낸드)와 파운드리 라인이 공존하는 복합 생산기지가 될 것으로 보고 있다.

올해 안으로 건물이 지어지면 클린룸 구축 – 장비 투입 - 시제품 생산 및 테스트(시험 가동) - 고객사 납품 칩 양산이 순차적으로 이뤄질 것으로 보인다. 양산 시점은 2023년 하반기로 추정된다.
P3 옆에 있는 P2는 이미 일부 가동 중이다. P2는 축구장 16개 크기로 현존하는 반도체 공장 중 최대규모다. 지난해 8월부터 3세대 10나노급(1z) LPDDR(Low Power Double Data Rate)5 모바일 D램 등이 생산되고 있다. 해당 제품은 처음으로 극자외선(EUV) 공정이 적용된 메모리다.

지난해 공사를 시작한 P2의 낸드 및 파운드리 라인은 하반기부터 가동된다. 올해 초 파운드리 생산을 위한 설비반입에 나서기도 했다.

향후 평택캠퍼스에는 4~6공장도 설립될 예정이다. 1~3공장과 도로를 마주한 곳에 부지가 마련됐다. 이를 대비해 평택시에 공업용수 추가 확보도 요청했다. 해당 캠퍼스는 삼성전자의 메모리 선두유지 및 2030년 시스템반도체 세계 1위 달성을 위한 핵심 요지로 거듭나고 있다.

한편 업계에서는 삼성전자가 올해 상반기 웨이퍼 기준으로 ▲D램 월 3만장 ▲낸드플래시 월 6만장 ▲파운드리 월 2만장 내외 증설을 진행할 것으로 보고 있다. P2 위주로 설비 투입이 이뤄지면 중국 시안 공장으로 일부 분배될 전망이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr