산업

[삼성전자컨콜] 2021년 EUV 기반 1a D램·7세대 V낸드 개발 주력

디지털데일리 발행일 2020-10-29 10:40:29
  • 가
  • 가
김도현
[디지털데일리 김도현 기자] 29일 삼성전자는 ‘2020년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜’을 통해 “3세대 10나노 공정(1z) D램과 6세대 V낸드 전환을 가속화할 것”이라며 “내년에는 극자외선(EUV) 4세대 10나노 공정(1a) D램 및 7세대 V낸드 개발에 주력하겠다”고 밝혔다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr
Copyright ⓒ 디지털데일리. 무단전재 및 재배포 금지
김도현
dobest@ddaily.co.kr
기자의 전체기사 보기 기자의 전체기사 보기
디지털데일리가 직접 편집한 뉴스 채널

당신이 좋아할 만한 뉴스

많이 본 기사

연재기사

실시간 추천 뉴스