- 삼성전자 160단 이상·SK하이닉스 176단·인텔 144단 준비

[디지털데일리 김도현기자] 중국 반도체 굴기가 낸드플래시 ‘적층 경쟁’에 불을 붙였다. 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)의 128단 낸드 개발 소식이 불씨다. 한국, 미국, 일본 업체가 각축을 벌일 전망이다.

22일 업계에 따르면 YMTC는 128단 3차원(3D) 낸드 샘플을 스토리지 컨트롤러 공급 업체에 제출했다. 컨트롤러와 호환이 가능하면 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 탑재할 수 있다. YMTC는 3분기부터 생산을 시작 연내 128단 제품을 상용화할 계획이다.

낸드는 쌓는 방식으로 성능을 높인다. 삼성전자가 지난 2013년 1세대(24단) 수직구조 낸드(V-NAND) 상용화에 업계 최초로 성공했다. 고층화는 진행형이다. 2세대(32단), 3세대(48단), 4세대(64·72단), 5세대(92·96단), 6세대(128단)까지 진화했다. 세대 전환은 통상 1~2년이 걸린다.

YMTC 소식에 대해 반도체 업계는 반신반의 분위기다. 일각에서 제품이 실제 나올 때까지 지켜봐야 한다는 의견이 제기됐다. 중국 업체 특유의 부풀리기일 수 있다는 지적이다. 그만큼 128단 양산은 쉽지 않은 기술이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 지난해 128단 낸드 양산을 시작했다.
이와 별개로 중국의 추격을 떨치기 위한 경쟁도 치열하다.

삼성전자는 160단 이상 7세대 낸드를 개발하고 있다. SK하이닉스는 176단 4차원(4D) 낸드를 연구하고 있다. 인텔은 올해 144단 낸드를 양산하겠다고 선언했다. 마이크론은 2분기 128단 낸드를 생산한다. 웨스턴디지털과 키옥시아는 협업을 통해 측면 미세화 기술과 112단 수직 메모리를 결합했다.

반도체 업계 관계자는 “3D 낸드의 적층 한계는 200단으로 여겨졌지만, 최근 반도체 업체들이 다양한 스택 기술을 공개하면서 300단 이상도 가능하다는 전망이 나온다”며 “한·미·일 업체들이 장악한 시장에 중국까지 뛰어들면서 향후 단수 경쟁은 치열해질 것”이라고 분석했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr