- 4차 산업혁명 시스템 최적화…HBM2 대비 속도 50%↑

[디지털데일리 윤상호기자] SK하이닉스가 차세대 D램 선점에 나섰다.

SK하이닉스(대표 이석희)는 고대역폭메모리(High Bandwidth Memory)2E D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

HBM2E D램은 HBM D램 차세대 제품이다. HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. 실리콘관통전극(TSV: Through Silicon Via) 기술을 활용했다. 이 기술은 D램에 수천개 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 것이 특징이다. 기존 패키지 방식보다 크기 30% 이상 전력 소모 50% 이상 줄일 수 있다.

SK하이닉스가 개발한 HBM2E D램은 초당 3.6기가비트(Gb) 처리 속도를 구현한다. 1024개 정보출입구(I/O)로 초당 초당 460기가바이트(GB) 데이터 처리를 할 수 있다. 고화질(풀HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량 데이터를 1초에 처리한다. 용량은 단일 제품 기준 16GB다. 16Gb칩 8개를 TSV 기술로 연결했다.

HBM D램은 모듈로 메인보드에 창착하는 메모리가 아니다. 칩 자체를 그래픽처리장치(GPU) 등 시스템 반도체에 간격 수십마이크로미터(um)로 탑재한다. 거리가 줄어들면 속도는 더 빨라진다. ▲머신러닝 ▲슈퍼컴퓨터 ▲인공지능(AI) 등 4차 산업혁명 기반 시스템에 적합하다는 것이 SK하이닉스의 설명이다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 말했다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr