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삼성-IBM, 5나노 첨단 반도체 물꼬 텄다

디지털데일리 발행일 2017-06-05 15:41:57
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이수환

[디지털데일리 이수환기자] 삼성전자, IBM, 글로벌파운드리(GF)가 5나노 반도체 제작이 가능한 실리콘 나노시트(Nanosheet) 트랜지스터 생산공정 개발에 성공했다고 5일 밝혔다. 밝혔다.

삼성전자와 IBM은 2000년대 초반부터 커먼플랫폼(Common Platform) 연합을 구성했으며 초기 멤버였던 차터드 대신 GF가 합류한 상태다. 이후에는 IBM리서치연합(IBM Research Alliance)을 결성하고 200억개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 7나노 테스트 칩 개발에 성공한 바 있다. 이번에는 2년 만에 손톱만한 크기의 칩에 300억개의 트랜지스터를 집적할 수 있는 기술 개발에 성공한 것.

이번 5나노 칩에는 기존에 사용하던 핀펫(FinFET) 아닌 나노시트(Nanosheet) 설계가 적용됐다. 핀펫은 기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술이다. 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫이라고 부른다.

하지만 이런 핀펫도 미세공정의 한계로 성능을 발전시키기가 날로 어려워진 상태다. 업계에서는 핀펫을 뛰어넘는 새로운 트랜지스터 구조를 연구개발(R&D)하고 있으며 그 후보 가운데 하나가 나노시트다. IBM은 현재 시장에 나와 있는 핀펫 기반 10나노 칩과 비교했을 때 같은 전력소비량을 가진 경우 성능이 40% 향상된다고 설명했다. 성능이 같다면 전력소비량이 75% 줄어든다. 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 노광 기술도 접목됐다.

한편 IBM은 지난 2014년 7월 향후 5년간 최첨단 반도체 칩 R&D를 위해 30억달러(약 3조3500억원)를 투자하겠다고 발표한 바 있다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr

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