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샌디스크, 차세대 메모리 개발…‘랩뷰’로 가속화

디지털데일리 발행일 2016-08-04 07:23:39
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이수환

[전자부품 전문 미디어 인사이트세미콘]

샌디스크가 차세대 메모리 후보 가운데 하나인 저항변화메모리(Re램) 개발을 위한 재료 테스트에 내쇼날인스트루먼트(NI) ‘랩뷰’를 활용하고 있다고 밝혔다.

오는 4일(현지시각)까지 미국 오스틴컨벤션센터에서 진행되는 ‘NI위크 2016’에서 샌디스크 후안 사에즈 수석 디바이스 엔지니어는 “비휘발성 메모리 기술인 저항변화메모리를 개발하기 위해 HPE와 협력해왔다”며 “Re램은 낸드플래시와 1000배 이상 빠르고 D램보다 비용이 적게 들고 집적도가 높다”고 말했다.

샌디스크가 개발하고 있는 Re램은 도시바와의 합작품이다. 전기적 저항 특성이 외부 전압이나 전류에 따라 변화하는 원리를 이용한 비휘발성 메모리 가운데 하나이며 스핀주입자화반전메모리(STT-M램), 상변화메모리(P램), 3D 크로스(X) 포인트와 함께 차세대 메모리로 주목받고 있다.

샌디스크는 Re램에 사용할 수 있는 재료 테스트가 기존 박스형 계측기로는 6개월이 걸렸으나 NI 랩뷰와 PXI 시스템을 활용해 작업시간을 2주로 단축할 수 있었다고 설명했다. Re램도 낸드플래시와 마찬가지로 전하가 이동하고 저장되는 재료 개발이 필수적으로 수많은 테스트를 통해 적당한 성능과 가격을 가질 수 있는 조건을 찾아내야 한다. 이를 위해 기초가 되는 데이터를 뽑아내야 한다.

박스형 계측기와 달리 PXI는 한 개 프레임에 여러 개 계측기 모듈을 바꿔 끼워가며 사용하는 계측 플랫폼이다. 프로그래머블반도체(FPGA)를 통해 사용자가 원하는 기능을 접목하는 것도 가능하다. 여기에 랩뷰는 순식간에 쏟아지는 데이터를 보다 효과적으로 모아 관리할 수 있도록 돕는다.

한편 샌디스크가 Re램 개발에 속도를 내면서 차세대 메모리 경쟁이 한층 뜨거워질 전망이다. 인텔은 하반기 3D X포인트, 내년에는 48단 낸드플래시 양산에 돌입한다. SK하이닉스는 올해 48단 낸드플래시 개발을 완료, 양산을 앞두고 있다. 이 시장 선두인 삼성전자는 올해 64단 V낸드 개발을 완료하고 차세대 메모리 개발도 함께 진행하고 있다.

<오스틴(미국)=이수환 기자>shulee@insightsemicon.com



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