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인텔, 中 다롄에서 3D 낸드 양산…삼성전자 정조준

디지털데일리 발행일 2016-04-15 17:57:00
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이수환

인텔이 2분기 중국 다롄 공장에서 자체 생산한 3D 낸드플래시 양산을 시작한다. 현재 샘플 공급중이며 D램과 낸드플래시의 중간 형태를 가진 ‘3D X(크로스) 포인트’도 대응이 가능하도록 공장을 설계해 업계 선두를 달리고 있는 삼성전자를 빠르게 따라잡겠다는 복안이다.

15일 인텔 클라이언트 SSD 전략 수립 및 제품 마케팅 책임자(디렉터)인 데이비드 룬델은 서울 여의도 인텔코리아 본사에서 가진 미디어 라운드테이블에서 “인텔은 이(낸드플래시) 분야에 대한 강한 의지를 가지고 있다. 이 시장은 잠재력을 가지고 있으며 성장에도 가속도가 붙을 것”이라고 말했다. 메모리 분야에서 더 많은 투자와 함께 시장을 적극적으로 공략하겠다는 것으로 사실상 업계 선두인 삼성전자를 목표로 삼고 있다는 의미다.

시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 작년 4분기 낸드플래시 시장점유율은 삼성전자(33.60%), 도시바(18.60%), 샌디스크(15.80%), 마이크론(13.90%), SK하이닉스(10.10%) 순이었다. 인텔은 한 자릿수 시장점유율에 그치고 있다. 급성장하고 있는 낸드플래시 시장 공략을 위한 다롄 공장은 올해 하반기에 가동될 것으로 전망됐으나 양산 시기를 앞당긴 셈이다.

데이비드 룬델 디렉터는 “인텔은 플로팅게이트(Floating Gate, FG) 기반의 낸드플래시 기술을 사용하는데 다른 업체의 차지 트랩 플래시(Charge Trap Flash, CTF)와 달리 검증된 기술이고 더 많은 용량을 제공하면서도 가격은 저렴하다”고 강조했다.

3D 기술은 셀을 평면으로 전개하는 2D 낸드플래시와 달리 셀을 수직으로 쌓아올린다. 삼성전자는 전하를 저장하는 게이트 타입을 FG에서 CTF로 바꿔 3D 낸드플래시를 생산하고 있다. CTF는 부도체에 전하를 저장토록 함으로써 셀과 셀 사이의 간섭 현상을 줄이고 간격을 좁힐 수 있다. 이 기술은 삼성전자가 원천특허를 보유하고 있다.

인텔은 CTF가 아닌 FG를 밀고 있다. 삼성전자가 원천특허를 가지고 있기도 하지만 지난 25년 동안 FG를 사용해온 만큼 시장에서 검증받은 기술이라는 설명이다. 여기에 CTF는 셀을 묶은 어레이를 제어하기 위한 컨트롤 회로를 주변에 반드시 수평적으로 배치해야 하는 어려움이 있지만 FG는 셀 아래쪽에 배치할 수 있어 그만큼 비용절감이 가능하다는 것.

인텔의 주장은 두 가지 측면을 보여준다. 하나는 낸드플래시 시장을 보다 진지하게 공략하겠다는 것이고 다른 하나는 기술적인 불리함을 극복하기 위해 시간을 벌어야 할 필요성을 느꼈다는 점이다. 어차피 인텔은 마이크론과 공동으로 개발한 차세대 플래시 메모리 ‘3D X(크로스) 포인트’를 올해 하반기부터 양산할 계획이다. 시장에서의 반응은 뚜껑을 열어봐야 하지만 지금 이 시점에 별도의 3D 낸드플래시를 적극적으로 공급하겠다는 것은 시장점유율을 끌어올리겠다는 것이 다름없다.

또한 다롄 공장은 처음부터 3D X포인트를 대응할 수 있도록 설계됐다. 당장은 미국 유타 공장에서 3D X포인트를 생산하지만 시장 반응과 상황을 보고 대응하겠다는 얘기다. 그동안 인텔 낸드플래시는 경쟁사보다 가격이 비싸 일반 소비자용은 물론 엔터프라이즈 시장에서의 저 변이 그리 넓은 편도 아니었다. 3D 낸드플래시 양산은 이런 빈틈을 노리고 3D X포인트를 통해 새로운 성장 동력을 확보한다고 봐도 무리가 없다.

데이비드 룬델 디렉터는 “낸드플래시를 이용한 솔리드스테이트드라이브(SSD)는 아직 하드디스크드라이브(HDD)와 비교했을 때 가격이 높은 것은 장애물”이라며 “SDD가 가격 경쟁력을 갖추는 1~2년 내 본격적인 전환이 이뤄진다고 본다”고 덧붙였다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com
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