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회로 선폭이 7나노미터에 불과한 시스템반도체 테스트 칩이 생산됐다. 현재 상용화된 최신 시스템반도체 공정은 14나노로, 7나노는 차세대인 10나노를 뛰어넘는 ‘차차세대’ 공정으로 일컬어진다.

12일 미국 IBM연구소는 삼성전자, 글로벌파운드리(GF)와 협력해 뉴욕주립대(SUNY) 폴리테크닉 연구소 나노스케일과학공학대학(Polytechnic Institute Colleges of Nanoscale Science and Engineering)에서 7나노 테스트 칩을 생산했다고 밝혔다. 7나노 공정을 적용하면 손톱 크기 만한 칩(Die)에 200억개 이상의 트랜지스터를 집적할 수 있다고 IBM은 설명했다. IBM연구소는 일반 실리콘(Si)보다 전자 이동도가 높은 실리콘게르마늄(SiGe) 소재 기반의 채널 트랜지스터를 적용하고, 빛 파장이 13.5나노로 짧은 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 노광(露光, exposure)을 다단계로 수행해 이 칩을 생산할 수 있었다고 밝혔다.

IBM은 7나노 공정이 스마트폰 및 우주선용 칩까지, 다양한 칩 생산에 활용될 수 있을 것이라고 설명했다.

IBM은 최근 자사의 반도체 사업을 GF에 매각한 뒤 연구개발(R&D)에 전념할 계획이라고 밝힌 바 있다. 또 지난해 향후 5년간 반도체 분야 R&D에 30억달러를 투입할 계획이라고 발표했다. 이번 테스트 칩 생산은 그에 대한 일환이다. 삼성전자와 GF, IBM은 반도체 생산 관련 공통 기술을 함께 개발하는 커먼 플랫폼(Common Platform) 연합을 결성하고 있다. 즉 이번 IBM의 기술 개발 성과는 삼성전자와 GF가 그대로 흡수하게 될 것이란 의미다.

업계 관계자는 “10나노는 2016~2017년, 7나노는 2018~2019년 양산될 것으로 전문가들은 보고 있다”고 설명했다.

<한주엽 기자>powerusr@insightsemicon.com