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日도시바 소비전력 10분의 1로 줄인 차세대 STT-M램 개발

디지털데일리 발행일 2012-12-11 13:38:51
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한주엽 기자
[디지털데일리 한주엽기자] 일본 도시바가 전력 소모량을 크게 낮춘 차세대 스핀주입자화반전메모리(STT-M램)의 개발에 성공했다.

STT-M램은 자성체에 전류를 가해 발생한 전자회전을 이용, 저항 값 크기에 따라 데이터를 기록하고 보존하는 차세대 메모리다. 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성인데다 고속 동작이 가능하다는 특징을 갖고 있다. 다만 전력 소비량이 높다는 단점이 해결해야 할 과제로 남아있었다.

도시바는 10일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 개최된 국제전자소자회의(IEDM) 2012에서 스마트폰과 태블릿 등 모바일기기에 탑재되는 캐시 메모리용 저전력 STT-M램을 개발했다고 발표했다.

도시바는 기존 STT-M램이 빠른 속도를 보장하는 대신 전력 소비량이 높았던 점이 단점이었다며 이번에 개발한 제품은 전력 소비량을 내리면서도 동작 속도는 높이는 데 성공했다고 밝혔다. 회사는 이 제품이 프랑스 스핀테크, 미국 IBM 등이 개발한 STT-M램 대비 소비전력이 10분의 1로 줄어든 것이 특징이라고 설명했다.

도시바의 STT-M램은 30나노 이하 생산 공정을 적용할 수 있도록 디자인 됐다. 전력 누수 제로화 설계로 작동 및 대기 상태에서 쓸모없이 소모되는 전력을 없앴다. 회사는 이 제품이 탑재된 프로세서 위에서 소프트웨어를 구동시킨 결과 S램을 캐시 메모리로 탑재한 표준 모바일 프로세서 대비 소비 전력이 약 3분의 1로 줄어들었다고 설명했다.

회사 측은 “S램을 대체할 수 있는 고속, 저전력 STT-M램을 개발함으로써 전체 시스템의 전력 절감 가능성을 보여줬다”며 “앞으로로 STT-M램의 성능과 전력소모량을 더욱 개선하는 방향으로 연구개발(R&D)을 가속화할 것”이라고 말했다.

도시바는 SK하이닉스와 STT-M램을 공동 개발하고 있다. 박성욱 SK하이닉스 부사장은 “2015년 STT-M램의 첫 상용화 제품을 내놓을 것”이라고 밝힌 바 있다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
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