반도체

삼성전자, 27나노 64Gb 3bit 낸드플래시 양산

디지털데일리 발행일 2010-10-13 11:39:18
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한주엽 기자

[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 최지성)는 대용량 스토리지용 27나노 64Gb(기가비트) 3bit(비트) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다고 13일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 32나노 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어 이번에 용량이 두 배로 커진 27나노 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다고 밝혔다.

27나노 64Gb 3bit 낸드플래시는 32나노 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높고 토글 DDR 1.0 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현한다고 삼성전자는 설명했다.

이 제품은 하나의 칩으로 8GB(기가바이트)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있어, 기존 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체하며 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 예상된다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 “삼성전자는 지난해 11월 30나노급 공정으로 32Gb 3bit 낸드플래시 제품을 세계 최초로 양산했고, 낸드플래시에 토글 DDR 방식을 적용하는 등 고성능·대용량 낸드플래시 시장을 확대하기 위해 노력해 왔다"고 말했다.

이어 “20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD(Solid-State Drive)에 이어, USB 플래시 드라이브(Flash Drive), SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다”고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr

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