[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 27나노 반도체 미세 공정을 적용한 낸드플래시를 양산한다. 20나노대 공정으로 낸드플래시 양산에 들어간 업체는 삼성전자가 최초다.

도시바는 삼성전자와 동일한 27나노 공정으로 올 2분기, 인텔과 마이크론의 합작사 IM플래시테크놀로지는 25나노 공정으로 오는 6월께, 하이닉스는 26나노 공정을 적용해 올해 3분기 낸드플래시를 양산할 계획인 것으로 알려졌다. 메모리 반도체 분야의 제조공정 경쟁이 30나노대에서 20나노대로 넘어가고 있는 것이다.

삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 최지성)는 19일 27나노 공정으로 32기가비트 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다고 밝혔다.

삼성전자는 27나노 MLC 낸드플래시가 종전 32나노 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높고, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상은 물론 32나노 낸드 제품과 동등 수준의 신뢰성도 확보했다고 밝혔다.

삼성전자 27나노 MLC 낸드플래시는 ‘SD 카드’ 제품으로 먼저 출시됐다. 삼성전자는 27나노 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다.

27나노 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 SD 카드 제품은 메모리 카드 중에서 최고 쓰기 속도인 10MB/s 이상을 구현해 ‘Class 10’ 규격을 만족한다고 설명했다.

삼성전자는 모비낸드까지 27나노 MLC 낸드플래시를 순차적으로 적용한다는 게획이다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산하게 되어 고성능, 대용량 메모리를 안정적으로 공급해 달라는 고객들의 요구에 적극적으로 대응할 수 있게 됐다”고 말했다.

조 사장은 “올해에 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점해, 플래시 메모리 사업 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr