[2022년 IT혁신상품] 삼성전자, ‘3나노 반도체’…파운드리 경쟁우위 지속

반도체

디지털데일리 발행일 2022-12-23 15:45:57

박기록

올해 7월25일, 삼성전자 경기 화성캠퍼스에서 3nm 파운드리 제품 출하식을 개최했다.

- ‘3나노 GAA’ 공정 HPC 세계 최초 적용, 전력 감소·성능 개선

[디지털데일리 박기록기자] 삼성전자는 세계 최초로 올해 3나노미터(nm) 반도체 파운드리 공정을 이용한 시스템반도체를 출하함으로써 해당 분야의 시장경쟁에서 지속적인 우위를 확보했다.

삼성전자는 극자외선(EUV) 전용 V1라인에서 ‘GAA’(Gate All Around) 기술을 적용한 3nm 공정 제품 공급을 본격화함으로써 파운드리 부문에서의 경쟁 우위를 확보했다는 평가를 받았다.

GAA는 차세대 트랜지스터 구조로 주목을 받고 있는 기술로 핀펫 기술대비 트랜지스터에서 전류가 흐르는 문(게이트)과 길(채널)을 1개 늘린 것이 특징이다. 이를 통해 전력 소모량 감소와 성능 개선을 동시에 기대할 수 있다.

이와함께 삼성전자의 3나노 반도체 공정의 성공적인 구현으로 원익IPS, 텔레칩스 등 반도체 장비업체들도 한단계 업그레이드되는 시장 평판을 확보할 수 있게됐다. 삼성전자는 고성능컴퓨팅(HPC)용 시스템반도체에 처음 적용했으며. 대상 확대를 위해 주요 고객사와 논의를 진행하고 있다.

박기록

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