[디지털데일리 김도현기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 사업을 강화한다.
9일 ST는 스웨덴 SiC 웨이퍼 제조업체 노스텔AB(이하 노스텔)의 인수작업을 완료했다고 밝혔다. ST는 지난 2월 발표한 초기 지분인수에 이어, 나머지 45% 지분 관련 인수 옵션을 행사했다. 총 1억3750만달러(약 1634억원) 규모다.
장 마크 쉐리 ST 회장은 “노스텔 인수를 통해 ST의 SiC 에코시스템을 강화했다”며 “이를 통해 유연성 향상과 웨이퍼 수율 및 품질을 개선할 것”이라고 말했다.
SiC 웨이퍼는 실리콘과 탄소를 높은 온도로 가열해 제조한 인공 화합물인 탄화규소로 제작한다. 기존 실리콘 웨이퍼보다 전력 변환 손실이 10분 1 수준이다. 경도는 9.3으로 다이아몬드(경도 10)와 비슷한 정도다. 고경도·내전압·내열 특성으로 에너지 효율이 중요한 전기차 등에 사용되는 전력반도체용 웨이퍼로 적합하다.
ST는 이번 인수로 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)및 다이오드 생산에 필요한 등급의 웨이퍼를 안정적으로 확보하게 됐다. 이는 고객사를 늘리는 데 긍정적 요소다.
노스텔은 ST의 글로벌 연구개발(R&D) 및 제조설비에 통합된다. 150밀리미터(mm) 베어 및 에피택셜 SiC 웨이퍼 생산과 200mm 생산을 진행하는 곳이다. 밴드 갭 소재에 관한 R&D 사업도 진행할 예정이다.