삼성전자가 NXP에 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(Fully Depleted Silicon On Insulator, FD-SOI) 공정을 적용한 위탁생산(파운드리) 시스템온칩(SoC)을 제공한다. 지난 2014년 ST마이크로일렉트로닉스로부터 도입한 FD-SOI는 28나노 기반에 중저가 반도체를 생산하기에 적합하다.

16일 업계에 따르면 삼성전자는 NXP에 FD-SOI 공정을 적용한 SoC를 공급하고 있는 것으로 전해졌다. NXP 입장에서 기존 CMOS 반도체와 비교해 동작하는 전압이 낮아 전력소비량은 물론 원가절감에 유리한 FD-SOI를 통해 강점을 가지고 있는 산업·자동차용 애플리케이션프로세서(AP)에 힘을 싣겠다는 전략으로 풀이된다.

삼성전자의 경우 사물인터넷(IoT)용 중저가 칩 파운드리에 FD-SOI 공정을 활용하기로 한 상태인데다가 시스템LSI사업부의 파운드리·설계 사업부를 분리하는 방안이 결정된 상태라 고객사 다변화 측면에서도 긍정적이다.

시장조사업체 인터내셔널비즈니스스트래티지(IBS)에 따르면 28나노 FD-SOI 공정으로 생산된 반도체 원가는 기존 하이K메탈게이트(HKMG) 공정 대비 7.5~15.4% 저렴한 것으로 나타났다. 칩 면적이 넓고 성능이 높아질수록 효과가 커졌다.

삼성전자는 NXP를 발판으로 FD-SOI 공정 확대에 적극적으로 나설 방침이다. 한 업계 관계자는 “지난해 이머징 메모리를 대상으로 영업활동이 시작된 것으로 안다”며 “FD-SOI를 통해 가격 경쟁력을 갖춰 기존 시장에서 널리 쓰이는 S램 등을 대체하려는 움직임으로 보인다”고 설명했다.

일각에서는 삼성전가 AP나 이머징 메모리 외에도 무선주파수(RF) 트랜시버 칩 등에도 FD-SOI를 적용할 가능성이 높은 것으로 점치는 모양새다. CMOS 이미지센서(CIS)에 FD-SOI 도입을 검토하고 있는 소니를 두고서도 글로벌파운드리(GF)와 경쟁이 불가피하다. GF는 삼성전자와 다른 22나노 FD-SOI 공정을 사용하고 있다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr