반도체

로옴, 고전압용 탄화규소 모스펫 파워 반도체 개발

디지털데일리 발행일 2016-08-26 12:02:19
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이수환

[전자부품 전문 미디어 인사이트세미콘]

로옴(www.rohm.co.kr 대표 사토시 사와무라)은 26일 고전압으로 동작하는 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기용으로 1700볼트(V) 내압의 탄화규소(SiC)-모스펫(MOSFET) ‘SCT2H12NZ’를 개발했다고 밝혔다.

이 제품은 산업용 기기의 보조 전원에 필요한 고내압·저전류 특성에 적합한 SiC-MOSFET이다. 일반적으로 사용되는 실리콘(Si)-MOSFET에 비해 도통손실(전류가 흐를 때 발생하는 손실, conduction losses)을 1/8로 줄여 전력소비량을 줄일 수 있다.

최근 에너지 절약에 대한 의식이 높아짐에 따라 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업용 기기에 있어서 저전력화를 실현하는 파워 반도체가 채용되고 있다. 메인 전원 회로뿐만 아니라 제어 IC 및 각종 시스템 구동용으로 전원전압을 공급하는 보조 전원이 내장되는 경우가 많다. 이러한 보조 전원에는 내압 1000V 이상의 Si-MOSFET가 널리 채용되고 있다. 하지만 내압 1000V 이상의 Si-MOSFET는 큰 도통 손실로 인해 발열도 커진다. 주변 부품수 및 실장 면적에 과제가 있어 기기의 소형화에 제약이 있었다.

SCT2H12NZ는 올해 1월부터 양산을 개시했다. 전공정은 일본, 후공정은 태국에서 이뤄지며 4월부터 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC ‘BD7682FJ-LB’, 이 두 제품을 내장한 평가 보드 ‘BD7682FJ-LB-EVK-402’가 선보인 상태다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com

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