반도체

프리스케일, GaN 기반 RF 전력 트랜지스터 발표

디지털데일리 발행일 2015-05-27 18:24:45
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한주엽

[전자부품 전문 미디어 인사이트세미콘]

프리스케일반도체는 셀룰러 기지국 장비에 탑재될 수 있는 질화갈륨(GaN) 기반의 무선주파수(RF) 전력 트랜지스터 ‘A2G22S160-01S’를 27일 발표했다.

프리스케일이 GaN 기반 전력 트랜지스터를 내놓는 것은 이번이 처음이다. GaN은 규소보다 더 높은 전력 변환 효율과 더 빠른 스위칭 속도 및 더 높은 전력 밀도를 제공한다. 따라서 크기는 훨씬 작으면서도 기존 디바이스의 성능을 능가하는 전력 트랜지스터를 만들 수 있다. 이는 GaN이 제공하는 넓은 밴드특성(band-gap) 및 높은 임계 전기장, 전자 이동의 특성을 갖추고 있기에 가능한 것이라고 프리스케일은 설명했다.

A2G22S160-01S는 1800~2200MHz 사이의 주파수 범위에서 높은 성능을 낸다. 아울러 이 제품은 30와트(W) 및 40W급 증폭기에서 높은 성능을 제공한다. 예를 들어, 반송파(搬送波) 경로에 하나, 피킹 경로에 두 개의 A2G22S160-01S를 사용하는 40W 도허티(Doherty) 양방향 비대칭 증폭기의 경우 최대 출력이 56.2dBm로 높다. 8dB의 OBO(출력 백오프)에서 이득(gain)은 15.4dB, 효율은 56.7%에 이른다. 합계 40MHz의 반송파 대역폭에서 20MHz LTE 반송파 2개를 구동할 경우 인접채널전력(ACP)은 디지털전치왜곡(DPD)을 포함해 –55dBc다.

프리스케일 RF 사업부 총책임자, 폴 하트 전무는 “프리스케일은 틈새 시장에서 셀룰러 인프라와 같은 주류 완성품 수요단으로 GaN 시장의 전환을 추진하고 있다”고 말했다.

이 제품은 현재 양산 중이다.

<한주엽 기자>powerusr@insightsemicon.com

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